近期，第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛召开，会议现场揭晓“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”入选结果。
“全系列12英寸碳化硅衬底全球首发”、“万伏级SiC MOSFET器件的研制及其产业化技术”、“基于氮化镓Micro-LED的高速、低功耗光通信芯片技术”、“8英寸氧化镓单晶及衬底制备实现重大突破”、“低位错密度12英寸碳化硅单晶生长及激光剥离技术”、“8英寸SiC Trench MOSFET功率器件设计与工艺开发”、“国产化Micro LED专用MOCVD设备产业化技术重大突破”、“AlGaN基远紫外光源芯片发光效率增强关键技术”、“III族氮化物半导体强极化的实验测定”、“氮化镓基Micro-LED微显示集成芯片技术”等10项成果成功入选“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”。
图片来源：深圳平湖实验室
其中，山东天岳先进科技股份有限公司发布全球首款12英寸碳化硅衬底，标志着中国在半导体关键基础材料领域实现了历史性的重大突破，彰显了中国新一代半导体材料技术的国际领先地位。
资料显示，碳化硅单晶扩径技术难度极高，12英寸碳化硅晶体制备需要在8英寸碳化硅晶体基础上通过多轮次迭代扩径，项目团队在新型长晶设备开发、配套的热场结构设计及工艺、特殊籽晶处理工艺等方向上取得创新性突破，攻克了碳化硅单晶的连续扩径技术，成功制备出12英寸碳化硅单晶；同时项目团队配合超大尺寸衬底开发了新型大尺寸切割、研磨和抛光技术，最终实现12英寸碳化硅衬底的加工成型。
国产化Micro LED专用MOCVD设备产业化项目由三安光电、中微公司联合研发，旨在推动国产MOCVD设备在性能上达到国际先进水平，标志着我国在Micro LED关键设备制造上已摆脱国外技术的依赖，实现了自主可控，为国产Micro LED产业大规模商业化生产奠定了坚实基础，助力我国在全球Micro LED显示领域占据领先地位。
AlGaN基远紫外光源芯片发光效率增强关键技术项目由华中科技大学武汉光电国家研究中心戴江南教授团队联合华中科技大学鄂州工研院、武汉优炜芯科技有限公司完成。研究团队创新设计了芯片刻蚀反射阵列结构，提升了紫外芯片电光转换效率；首创了协同散射光子调控策略，提高了紫外芯片光提取效率；制备了晶圆级介质纳米结构，提升了紫外芯片输出光功率。
基于以上成果，本团队最终突破了230nm远紫外光源毫瓦级输出的国际难题，成功研制出峰值波长230nm、输出功率2.8mW的AlGaN基远紫外micro-LED，为目前毫瓦级micro-LED报道的最短波长。
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。