10月10日，英诺赛科发布公告表示，拟募资15.5亿港元，约4.82亿港元用于产能扩充及产品迭代升级。
图片来源：英诺赛科公告截图
英诺赛科在公告中指出，公司与配售代理订立配售协议，配售代理同意作为本公司代理尽力促使不少于六名承配人按照配售协议所载条款并在其条件规限下购20,700,000股新H股，配售价为每股H股75.58港元。
假设所有配售股份均获悉数配售，预计配售所得款项总额及所得款项净额（经扣除佣金及估计开支后）分别为1,564.506百万港元及约1,550.425百万港元（15.50亿港元）。
英诺赛科披露了关于此次配售所得款项的用途：
约4.82亿港元用于产能扩充及产品迭代升级；英诺赛科计划未来三年将持续扩充产能，以满足氮化镓功率器件市场指数级增长需求，并对产线进行改造，以生产应用于车规、工业、数据中心领域的更高等级产品。
此外，约3.76亿港元用于偿还有息负债；约6.92亿港元用于营运资金及一般公司用途，包括：薪金、社会保障、住房公积金及其他人力资源支出、向供应商及服务提供商支付的款项及潜在境内外投资。
英诺赛科配售后，公司注册资本及股份总数将分别变更为人民币915,100,653元及915,100,653股。公司将向联交所申请批准配售股份上市及买卖，并根据中国证监会备案规则进行备案。
资料显示，英诺赛科已于2024年12月30日在香港联合交易所主板上市，成为全球首家实现8英寸GaN晶圆大规模量产的IDM上市公司。
作为国内GaN技术的重要推动者，英诺赛科产品涵盖15V至900V电压范围的Single GaN、双向GaN（VGaN™）、双冷却LGA封装以及系统级封装SolidGaN™等多个产品系列，覆盖家电、数据中心、新能源、汽车和机器人等多个关键领域，具备在高压、高功率密度应用方面的技术实力。
与此同时，英诺赛科在氮化镓领域也在积极瞄准产业协同，与多家公司实现战略合作。今年9月29日，英诺赛科便宣布与联合电子以及纳芯微共同签署战略合作协议，三方将聚焦新能源汽车功率电子系统，联合研发智能集成氮化镓（GaN）相关产品。
（集邦化合物半导体 Flora 整理）
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