10月28日，扬杰科技先进封装项目（一期）开工仪式在五号厂区举行。据介绍，项目占地23亩，计划新建一栋三层混凝土框架结构生产厂房，建筑面积近3.7万平方米，核心是引进建设国际先进水平的封装生产线。标志着扬杰科技在突破关键技术瓶颈、完善“芯片设计-制造-封装”IDM全产业链布局中迈出关键一步。
图片来源：扬杰科技
资料显示，扬杰科技是国内领先的功率半导体企业，集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）。公司产品已覆盖整流器件、保护器件、小信号、MOSFET、IGBT、SiC等全系列产品。
不久前的10月20日，扬杰科技公布了2025年第三季度财报，报告显示，第三季度营业收入约18.93亿元，同比增长21.47%；归属于上市公司股东的净利润约为3.72亿元，比2024年同期增长52.40%。前三季度累计营业收入约53.48亿元，比2024年同期增长20.89%；归属于上市公司股东的净利润约为9.73亿元，比2024年同期增长45.51%。
扬杰科技十年碳化硅之路
作为国内功率半导体IDM模式的标杆企业，扬杰科技自2015年起深耕碳化硅（SiC）领域。近年来在碳化硅研发、产能及市场等方面均取得实质性突破。
2015年扬杰科技募资1.5亿元投向SiC芯片、器件研发及产业化建设项目，正式开启在碳化硅领域的布局。
2023年4月，扬杰科技与江苏省扬州市邗江区签署了《6英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同》，拟投资新建6英寸晶圆生产线项目，总投资约10亿元，项目全部建成投产后，将形成6英寸SiC晶圆产能5000片/月。6月，扬杰科技宣布与东南大学签署合作协议，组建 “东南大学 — 扬杰科技宽禁带功率器件技术联合研发中心”，在功率半导体领域进行深层次合作。
2024年，扬杰科技完成SiC晶圆厂房装修、设备搬入并实现通线，采用IDM技术实现650 V/1200V SiC SBD从第二代升级至第四代，MOSFET从第二代升级至第三代。
同年年底，扬杰科技投产两条车规级SiC模块封装产线，已研制出车载SiC模块样品并获得多家Tier‑1及整车厂测试合作意向，计划2025年实现国产主驱SiC模块批量上车。
在海外布局方面，扬杰科技2024年还在越南设立封测子公司，提升海外交付能力，成为公司“国内‑越南双轨”供应链的重要支点。
今年5月，SiC车规级功率半导体模块封装项目正式开工，该项目计划总投资10亿元，占地62亩，聚焦车规级框架式、塑封式IGBT模块及SiC MOSFET模块等第三代半导体产品的研发与生产，旨在通过技术突破实现进口替代，推动国内半导体产业自主可控发展。
在此前的半年报中，扬杰科技提到，公司将持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在以SiC为代表的第三代半导体功率器件等产品的研发力度。公司在碳化硅尤其是SiC MOS市场份额持续增加，当前各类产品已广泛应用于AI服务器电源、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。
（集邦化合物半导体 金水 整理）
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