近日，硅来半导体（武汉）有限公司（以下简称“硅来”）第三批兼容12英寸碳化硅衬底激光剥离量产设备顺利交付客户。本次交付标志着硅来超大尺寸碳化硅衬底激光剥离技术已经成功通过产业化检验，将为碳化硅产业发展注入新的动能。
图片来源：硅来半导体
01、自主创新工艺领先，解决超大尺寸碳化硅加工难题
硅来核心研发团队来自华中科技大学激光学科，技术创新能力强，且深耕激光产业多年。团队针对莫氏硬度高达9.5、接近于金刚石的SiC单晶，自主创新激光剥离技术，先后推出6英寸、8英寸和12英寸碳化硅衬底激光剥离量产设备。
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与行业现有技术路线相比，硅来设备具备明显的差异化技术优势。
在硬件设计上，公司独创性采用SOC组合光源，相比多台独立光源方案具备更高集成度和稳定性；同时搭载自由曲面光路整形技术，并配备“白光干涉面形检测+反演算法补偿”技术，可靠性突出。该设备支持不同电阻率碳化硅晶体工艺定制，可承载更高能量，且具备无老化、无寿命限制、强抗干扰等特性。此外，设备同时支持6、8、12英寸规格，定位精度与非标尺寸兼容性满足生产要求。单台1.2m*1.4m的设备即可完成切割全工序与自动上下料，在保证全自动化高性能运行的前提下，大幅节省车间布局空间。
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在关键加工指标上，其激光剥离工艺显著优于传统线切割工艺。在加工效率方面，8英寸单片激光剥离时间小于15分钟，较传统线切工艺提升20-30倍；在原料损耗方面，8英寸单片加工损耗仅为60-80μm，较传统线切降低60%，且加工过程中不使用任何耗材及化学试剂；在产出效益方面，相较传统线切工艺，出片量提升30%，单片加工成本降低50%。
02、把握碳化硅产业风口，硅来获市场与资本高度认可
作为第三代半导体代表材料，碳化硅具有禁带宽度大、熔点高、热导率高等性能优势，广泛应用于新能源汽车、智能电网、5G通信等领域。目前，8英寸和12英寸碳化硅衬底能够进一步扩大单片晶圆上的芯片制造面积，在同等生产条件下可显著提升产量、降低成本。
凭借领先的技术实力，硅来激光剥离设备获得了市场的高度认可。在不到半年时间内，硅来累计出货数十套设备，广泛覆盖国内多家头部碳化硅企业。得益于模块化的设计和产业协同，公司已实现规模化量产，设备的批量交付周期为28天，未来有望缩短至14天。
在资本层面，硅来已经成功引入武汉帝尔激光科技股份有限公司等战略投资者。作为全球领先的激光精密微纳加工装备制造企业，帝尔激光在半导体领域已推出多款领先设备，双方的协同创新将进一步巩固硅来在核心赛道的竞争力。此外，公司同步布局硅光芯片核心装备领域，自主研发的硅光芯片激光隐切设备已成功出口海外，将成为未来主要主力机型之一。
03、结语
未来，硅来将聚焦半导体激光装备核心赛道，持续优化SoC光源、自由曲面光路等核心技术，深化与帝尔激光的协同创新。公司将继续以更先进的技术、更优质的服务赋能碳化硅衬底产业发展，推动多个领域的技术变革。
（集邦化合物半导体整理）
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