据媒体报道，合肥安海半导体股份有限公司（简称“安海半导体”）近日宣布，其自主研发的6.5kV/40mΩ与10kV/130mΩ系列碳化硅（SiC）MOSFET芯片，已通过浙江大学电气工程学院实验检验，并经由中国科学院电工研究所高频场控功率器件及装置产品质量检验中心现场见证测试，目前两款产品均已实现量产，良率均突破80%。
检测报告显示，本次量产的两款芯片性能表现优异，全面覆盖高端电力电子高压应用区间，兼具超高耐压与低导通损耗的双重优势，为高压直挂应用提供了理想的核心器件。
这一突破有望推动多个高附加值行业的电气架构变革：在绿色船舶与高铁交通领域，可显著降低牵引系统损耗，减小设备体积与重量，助力交通运输绿色转型；在新型配电与算力供电领域，作为高压直挂固态变压器的核心元件，可支撑智能电网建设，同时简化算力中心供电架构，打造节能型绿色算力基础设施；在高压柔性直流输电领域，其应用可将传统串联器件数量减少60%以上，简化系统结构，助力我国电力装备产业摆脱对进口IGBT器件的依赖，实现“换道超车”。
安海半导体负责人黄昕表示，10kV芯片实现高良率量产，标志着我国在该领域实现了从“跟跑”到“领跑”的跨越。未来，公司将持续拓展高压碳化硅的应用边界，积极推进“产学研用”创新体系建设，提供更优质的功率解决方案，服务国家重大战略需求，赋能产业升级。
目前，安海半导体首批10kV碳化硅MOSFET芯片已顺利出货。黄昕透露，公司正携手下游头部客户，加速推进器件封装、驱动等相关技术发展，推动该芯片在船舶、高铁、算力中心及智能电网等领域的应用落地。
（集邦化合物半导体整理）
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