近日，无锡利普思半导体有限公司扬州生产基地开工仪式在扬州市江都区隆重举行，正式宣告该聚焦车规级第三代功率半导体的重点项目启动建设。
此次开工的扬州利普思第三代车规级功率半导体模块项目，一期规划总投资1.8亿元，占地32亩，总建筑面积约3.1万平方米，将建设办公大楼、研发及测试中心、可靠性实验室及封装测试工厂，打造全流程功能模块。
项目规划总产能达年产300万只IGBT/SiC模块，其中一期新建2条车规级SiC模块封装测试产线，预计2026年底竣工，2027年3月正式投产，届时可实现年产150万只车规级SiC模块。
为保障生产效率与品质，项目将引进100余台套进口及国产先进设备，涵盖全自动银烧结机、真空焊接机等，并导入MES追溯系统，实现产品全生命周期自动化、数字化管理。此前，利普思已于3月中旬完成亿元PreB+轮融资，资金主要用于该基地建设及市场拓展。
利普思成立于2019年，专注SiC功率半导体模块设计、生产与销售，已开发20个封装类型、超300个产品型号，送样客户逾500家，产品出口至20多个国家，广泛应用于新能源汽车、电网、储能等领域。
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。