近期国内化合物半导体赛道密集迎来多笔产业融资，资本持续加码功率器件、核心装备、高速光芯片三大核心环节。其中，硅基氮化镓功率器件企业、国产半导体设备厂商、高端磷化铟光芯片企业先后完成融资落地，覆盖第三代功率半导体、光通信化合物半导体等高景气赛道。
01、星钥半导体数亿元融资落地，加码硅基GaN功率器件量产
近日，专注硅基氮化镓功率器件研发量产的星钥半导体，完成数亿元新一轮融资，本轮融资由鼎晖香港基金等多家战略及财务机构联合参与。成立以来，星钥半导体持续获得资本青睐，先后落地多轮融资，投资方囊括高瓴创投、红杉中国、中芯聚源、多地国资产业基金等头部机构，产业与资本认可度持续提升。
星钥半导体聚焦第三代半导体硅基GaN技术路线，主打650V–900V全系硅基氮化镓功率器件，产品核心适配AI服务器高压电源、高端消费快充、工业电源等主流高增长场景。
相较于传统碳化硅基器件，硅基GaN可兼容大尺寸硅晶圆成熟产线，在成本与规模化量产上具备显著优势，是当前宽禁带半导体降本普及、大规模替代传统硅基功率器件的核心方向。
本轮融资资金，将主要用于硅基GaN器件工艺迭代、产线升级以及规模化市场导入，进一步提升国产氮化镓功率器件的量产能力与市场渗透率。
02、蓝河科技B6轮数亿元融资，攻坚国产化合物半导体核心装备
化合物半导体生长设备厂商蓝河科技顺利完成数亿元B6轮融资。本轮融资由中国互联网投资基金领投，泰达科创、长江创新等机构跟投。依托多轮持续融资，公司持续获得国家级基金、产业资本、财务资本的长期加持，产能与研发投入持续提速。
图片来源：企查查信息截图
蓝河科技专注化合物半导体装备与材料技术研发、产业化，核心主打高端MOCVD设备，同时布局高温CVD（HTCVD）、MOCVD腔体再生清洁设备等配套产品线，形成完整的化合物外延设备配套能力。不同于单一赛道设备厂商，公司设备适配品类广泛，可服务于氮化镓功率器件、碳化硅功率器件、氧化镓超宽禁带材料、红黄光LED等多领域量产与研发。
作为化合物半导体外延生产的核心设备，MOCVD的工艺精度直接决定外延片良率、稳定性和器件性能。蓝河科技凭借多材料适配能力和设备迭代经验，已经进入多家功率半导体、新型超宽禁带材料企业供应链。
03、晶耀芯辉获地方专精特新基金投资，补齐磷化铟光芯片产能
在光通信化合物赛道，高端磷化铟外延与芯片领域同样迎来资本落地。近期，钟金控集团旗下常州钟楼专精与特新投资合伙企业，正式投资南京晶耀芯辉半导体科技有限公司，助力企业扩产高端光芯片核心产能。
公开资料显示，晶耀芯辉成立于2023年10月，落户南京，是一家聚焦高端磷化铟外延材料、高速激光器芯片研发与生产的科创企业。磷化铟是第二代化合物半导体核心材料，也是当前AI高速光模块不可或缺的基础材料，800G、1.6T高速光通信、数据中心高速互连所需的激光芯片，均高度依赖高品质磷化铟外延片支撑。
当前全球AI算力建设持续提速，高速光模块迭代节奏加快，上游磷化铟材料和高速光芯片供需持续偏紧。但国内高端磷化铟外延、高速EML激光器芯片产能有限，高端产品长期依赖海外厂商，国产化替代空间巨大。晶耀芯辉主要布局100G、200G高速激光芯片及硅光集成配套光源芯片，产品面向高速光通信、算力互连等主流高端场景。
04、结语
本轮三笔融资，分别落地功率器件、核心设备、光芯片三大关键环节，完整覆盖了国内化合物半导体两大核心赛道。目前国内SiC、GaN功率半导体及高速光芯片市场需求持续旺盛，产业链扩产节奏提速。在此背景下，资本逐步从下游器件端，向上游设备、材料、外延等核心短板环节转移。整体而言，国内化合物半导体正进入全链条补链提速阶段。随着更多国产设备、材料与芯片产能落地，产业链自主可控能力将持续增强，进一步夯实行业长期发展基础。
（集邦化合物半导体整理）
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