8月12日，英国军工巨头BAE系统公司官宣，旗下FAST实验室顺利完成美国DARPA THREADS器件级电子散热项目第一阶段研发，顺利获批二期经费，正式启动下一阶段技术攻关，聚焦解决军用氮化镓（GaN）射频器件的散热瓶颈问题。
BAE系统是全球顶尖国防电子与航空航天龙头，长期承接DARPA前沿微电子预研项目。旗下FAST实验室专攻军工微电子创新与技术成果落地，聚焦第三代半导体、器件热管理、高频射频芯片等核心领域，是美军高端电子器件技术迭代的核心研发机构之一。
THREADS项目核心目标明确，直指当前军用GaN射频器件的核心短板。氮化镓凭借高频、高功率特性，是军用雷达、电子战、战术通信装备的核心器件，但器件高密度工作下结温快速攀升，现有散热方案无法适配极限工况，导致器件必须降功率运行，直接限制了军用射频装备的探测距离、输出功率与持续工作能力，成为长期制约装备性能升级的关键卡点。
区别于传统整机、模组层面的被动散热优化，该项目采用器件原生散热架构革新，从芯片材料、内部结构、热传导工艺底层优化，大幅降低晶体管核心热阻。一期研发已完成技术可行性验证，可在不增加设备体积、重量、功耗的前提下，实现芯片高效导热散热，彻底改善高温降额痛点。
据技术测算，该方案落地后可充分释放GaN器件极限性能，搭载新型器件的军用射频系统，探测与作用距离有望实现数倍提升，同时大幅提升装备高温工况下的稳定性与耐久性，适配高强度、长时间的军事作战场景。
当前开启的二期阶段，核心任务为技术工程化迭代与原型产品验证。团队将持续优化散热工艺、打磨器件结构，攻克规模化量产与装备适配难题。同时项目联动斯坦福大学、宾州州立大学等高校资源，依托产学研协同体系加速技术落地，推动实验室技术向军工实用化转型。
（集邦化合物半导体整理）
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