2026年6月24日，杭州镓仁半导体有限公司官宣重大产业化成果，公司成功建成全球首条兼容6英寸、8英寸规格的氧化镓同质外延量产线，已顺利向头部芯片客户交付6英寸（100）面氧化镓同质外延片，正式进入批量稳定供货阶段。
图片来源：镓仁半导体
右下角为镓仁2英寸外延片对比样
据官方披露信息，此前全球氧化镓产业长期受制于小尺寸、低产能、均一性差等痛点，市面主流仅能实现2至4英寸小尺寸产品产出，无法满足高端功率器件规模化量产需求。镓仁半导体本次打通全流程量产工艺，彻底解决行业产业化核心瓶颈，成为全球首家、唯一可商用6英寸氧化镓同质外延产品的供货企业。
技术层面，该量产线依托#镓仁半导体 全球独创的铸造法单晶生长技术，搭配自主优化的MOCVD外延工艺搭建而成。自研铸造法可生长超厚氧化镓晶体，配合超薄衬底加工技术，将衬底出片量提升至传统工艺的3至4倍，同时大幅削减贵金属铱用量，让单片衬底成本降低80%以上，有效降低下游器件厂商的材料采购成本。
官方公示的产品检测数据显示，公司6英寸氧化镓同质外延片外延层厚度超10μm，膜厚方差低于1%，产品均匀性表现优异，可有效保障下游高性能器件生产良率，适配高压、高频、高温工况下的高端半导体器件制备需求。
产能与市场供货方面，镓仁半导体已完成“单晶生长-衬底加工-同质外延”全链条量产能力搭建，6/8英寸兼容量产线批次品质稳定可控。目前除国内头部芯片客户实现长期稳定采购外，多家海外企业及科研机构也已陆续下单合作，产品市场化落地节奏持续提速。
氧化镓作为超宽带隙第四代半导体材料，具备击穿场强高、导通损耗低、耐高温性能优异等特性，是高压电网、新能源汽车、光伏储能、高端射频通信等领域的核心关键材料。大尺寸晶圆量产能力的突破，能够显著提升单晶圆芯片产出数量，8英寸晶圆芯片产出规模约为4英寸晶圆的四倍，可极大提升产业规模化效益。
（集邦化合物半导体整理）
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