近日，芯联集成宣布，依托自研8英寸碳化硅（SiC）工艺平台，正式推出3300V SiC MOSFET器件。该产品面向固态变压器（SST）等高压、高功率密度、高可靠性应用场景进行定制设计，目前已向核心客户送样验证。
该产品基于8英寸产线自研高压平面栅SiC MOSFET技术，以更小的单元面积和更优的导通电阻-栅电荷优值（RDS(on)×QG），实现了导通与开关性能的平衡优化。
以10kV中压固态变压器前端为例，相较于1200V方案，采用3300V器件后，母线电压可提升至1800~2200V，级联数量减少约60%；功率单元及MOSFET总量同步减少60%，外围器件减少约70%，PCB设计大幅简化；同时控制与装配成本有所下降，综合系统级BOM成本降低约20%至35%，为固态变压器向更高开关频率、更小体积和更高转换效率演进提供了核心器件支撑。
为进一步补强固态变压器供应链，芯联集成也将推出适配该3300V SiC MOSFET的高频高耐压高功率密度磁性器件。
芯联集成已完成650V至3300V全电压段SiC MOSFET产品布局，新一代SiC G2.0工艺平台在能效与可靠性上实现进一步突破，8英寸SiC产线已实现大规模量产。
芯联集成指出，随着生成式AI算力需求增长，单AI机柜功率密度正向兆瓦级别迈进，英伟达年初宣布推动AI数据中心供电架构向800V HVDC演进，固态变压器成为AI数据中心领域的关键环节；在智能电网与新能源领域，固态变压器同样具有重要应用。随着固态变压器市场逐步起量，高压SiC器件的量产需求将更加明确。芯联集成正以3300V SiC MOSFET为支点，撬动固态变压器这一蓝海市场。
（集邦化合物半导体整理）
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