4月22日，永鼎股份发布公告，旗下子公司苏州鼎芯光电已实现100G EML及硅光高功率芯片批量生产，并启动大规模扩产计划，以满足全球AI数据中心高速互联的旺盛需求。
本次量产的100G EML（电吸收调制激光器）及70mW/100mW硅光高功率芯片，是800G/1.6T超高速光模块的核心器件，直接支撑AI算力网络建设。
公司依托IDM垂直整合模式，建成覆盖芯片设计、磷化铟（InP）外延生长、晶圆制造、封装测试的完整化合物半导体产线，实现全流程自主可控。目前产品良率稳定、性能达标，已通过国内主流光模块厂商及北美客户认证，进入批量供货阶段。
同时，公司深度绑定国家信息光电子创新中心，搭建“化合物光芯片+硅光芯片”双轨技术路线，推进1.6T/3.2T下一代光芯片及CPO共封装光学技术研发。
受AI算力需求爆发驱动，高端光芯片供需缺口持续扩大。永鼎股份已启动“年产7000万颗高速光芯片技改项目”，将现有4000万颗年产能提升至7000万颗，重点保障100G EML、硅光高功率芯片等AI核心产品供应。项目预计2026—2027年逐步达产，进一步提升公司在全球光芯片市场的份额。
除化合物半导体光芯片外，永鼎股份同步布局高温超导（第二代REBCO超导带材）这一新型宽禁带材料领域。旗下东部超导为国内唯一规模化量产企业，市占率超80%，产品应用于可控核聚变、智能电网、新能源等领域。2025年底，公司超导带材产能扩至5000公里/年，形成“光芯片+高温超导”双核心增长曲线。
（集邦化合物半导体整理）
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