近日，瑞典半导体材料公司SweGaN宣布完成1400万美元B轮融资。本轮由瑞典投资机构Thisbe AB和丹麦风投公司North Ventures领投，现有股东跟投，为溢价融资轮。至此，公司累计融资总额已达4100万美元。
图片来源：SweGaN官网
SweGaN总部位于瑞典林雪平，专注于碳化硅基氮化镓外延片的研发与生产。公司计划将本轮资金用于提升产能、加强国际市场的商业布局、扩充基础设施与人员团队，并加速下一代GaN-on-SiC材料的研发。
GaN-on-SiC外延片是化合物半导体市场中一个专业细分领域。该材料在射频功放、雷达电子、卫星通信、电信基础设施及高效功率转换等应用中占据关键位置，其高频、高功率密度和热性能优势使它在特定场景下优于主流硅基方案。SweGaN采用无缓冲层架构，通过其QuanFINE材料平台将氮化镓沟道层直接置于碳化硅衬底上，相比传统使用厚缓冲层的结构，能够降低陷阱效应和热阻，同时改善击穿强度、电子迁移率和功率密度等关键指标。
在商业化方面，SweGaN已在2026年早些时候披露了来自欧洲、亚洲和美国客户的框架订单，总金额约2500万瑞典克朗，覆盖数据中心用功率器件以及国防、航空航天和电信领域的射频应用。上述订单预计将在未来6至18个月内陆续转化为收入。
本轮融资伴随客户认证工作的推进和订单结构的进一步扩展。随着射频与功率应用市场对材料性能要求的持续提升，SweGaN正从研发阶段向规模化商业制造过渡。公司尚未披露具体的产能扩充目标或投产时间表，下一阶段的关注重点将集中在认证良率、重复订单及量产一致性等方面。
（集邦化合物半导体整理）
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