近日，富加镓业对外公布6英寸氧化镓单晶材料最新研发进展，企业依托自主垂直布里奇曼（VB）生长工艺，制备出等径平均厚度达到70.58mm的6英寸氧化镓晶锭，样品分别经由平湖实验室、中国计量科学研究院完成两项关键指标检测，结晶品质与电学参数取得阶段性成果。
图片来源：富加镓业
根据公开披露的检测数据，该批次6英寸晶锭厚度极差控制在0.12mm；平湖实验室HRXRD检测结果显示，晶体5个采样点位双晶摇摆曲线半高宽均值38.71arcsec，整体结晶质量表现稳定。电学性能方面，衬底样品电阻率均值16.4mΩ·cm，电阻率均匀性6.8%，官方披露该项电学指标已经可以达到碳化硅衬底对应的性能门槛。
放在产业化的维度来看，晶锭有效等径厚度是影响氧化镓衬底成本的一项关键参数。同等直径条件下更长的等径段，可以从单根晶锭切割得到更多可用晶圆，单位衬底分摊的长晶原材料、设备能耗以及工时成本随之下降。当前全球范围内VB路线6英寸氧化镓晶棒，公开的等径厚度大多处于40‑50mm区间，本次70mm级别厚度，在晶体产出效率层面带来新的提升空间。
作为第四代超宽禁带半导体材料，氧化镓理论击穿电场优于碳化硅，在高压功率器件领域具备发展潜力，不过现阶段行业整体仍处在材料工艺爬坡阶段，距离大规模商用还有较多环节需要打通。单晶长晶只是整条产业链的起点，后续晶体切割、晶圆抛光、外延薄膜生长、器件可靠性验证，都会决定最终衬底能否真正导入功率产线使用。
（集邦化合物半导体整理）
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