苏州华太电子技术股份有限公司近日更新科创板IPO招股书，计划募集资金27.81亿元。
从募资投向看，功率半导体与射频器件是两大核心方向，其中高性能功率芯片、配套芯片及应用方案的研发及应用项目拟投入4.43亿元，研发中心建设项目拟投入5亿元，另有6亿元用于补充流动资金。此外，超大功率LDMOS功放器件、射频大功率氮化镓功放器件、大功率单片射频LDMOS MMIC及高集成射频模组研发及应用项目拟投入7.69亿元，全系列射频大功率封测设计和工程平台研发中心及产业化项目拟投入4.65亿元。
图片来源：准上市网站信息截图
华太电子成立于2010年，是一家采用虚拟IDM经营模式的平台型半导体企业，业务聚焦射频与功率两大板块。在功率半导体领域，公司拥有碳化硅RugSiC功率器件、硅基超级结IGBT器件等原创核心技术，产品可应用于光伏发电与储能、新能源汽车、服务器电源、工业控制、AI算力板卡等场景。公司是国内少数可量产3000W以上射频电源LDMOS芯片的厂商，在功率器件设计、晶圆制造工艺、封装测试及封装散热材料等环节具备自主可控能力。
从财务数据来看，华太电子2023年至2025年营业收入分别为11.26亿元、7.07亿元和7.26亿元，2026年上半年，公司实现营收4.1亿元。报告期内公司尚未实现盈利，存在累计未弥补亏损。
客户结构方面，公司营收集中度较高，报告期内第一大客户收入占比从2023年的91.46%降至2026年上半年的63.21%，集中度有所下降但仍处于较高水平。股东层面，国家集成电路基金二期、先进制造基金为主要机构股东，公司实际控制人为张耀辉。
此次华太电子更新招股书，意味着其科创板上市进程继续推进。在功率半导体国产替代持续深化的背景下，公司在碳化硅功率器件、硅基IGBT及大功率射频器件领域的布局，有望借助资本市场进一步扩大产能与研发投入。
（集邦化合物半导体整理）
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