9月28日，Navitas宣布其已进入ALATTIS项目，承担下一代10kV级碳化硅IGBT的开发工作。公司计划把在SiC功率器件中积累的专有沟槽辅助平面（TAP）结构，从现有SiC MOSFET平台迁移到超高压SiC IGBT，使GeneSiC品牌的技术覆盖从650V至6.5kV的MOSFET进一步向10kV级器件延伸。
ALATTIS的全称为“加速型大面积10 kV SiC IGBT”。该计划由美国陆军研究实验室（ARL）资助，联合实验与技术加速器（JETX）提供支持，核心任务是开发、实施并验证一套面向10kV及以上超高压SiC功率半导体的美国本土制造工艺。项目将围绕设计、制造和测试进行多轮迭代，目标是为国防与关键基础设施的高功率电子应用提供10kV级SiC IGBT及配套PiN二极管技术。
Navitas在超高压SiC领域并非新进入者。公司以GeneSiC品牌对外提供SiC功率半导体，其MOSFET架构以TAP结构为核心，电压等级覆盖650V至6.5kV。更早之前，公司于2010年研制出6.5kV SiC晶闸管，2012年推出10-15kV SiC PiN二极管，并在2021年将6.5kV SiC MOSFET推向商业化。这些节点构成了其向10kV SiC IGBT延伸的技术基础。
Navitas高级副总裁兼首席技术官Siddarth Sundaresan表示，ALATTIS项目让公司得以把领先优势从SiC MOSFET扩展到下一代10kV SiC IGBT；新器件将采用独特的TAP架构，并集成先进的PiN二极管技术。他认为，该项目是超高压SiC功率器件发展的一个重要节点，也反映出Navitas二十多年来在可靠超高压大功率SiC技术上的持续创新。随着项目推进，Navitas在国防和关键基础设施高功率电子领域的超高压SiC产品布局有望更加完整。
（集邦化合物半导体整理）
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