海内外巨头组团抢单,SiC与SST“双向奔赴”

作者 | 发布日期 2026 年 07 月 09 日 14:38 | 分类 产业 , 碳化硅SiC

2026年,成了固态变压器(SST)从实验室走向市场的“成年礼”。近期,海内外芯片厂和电力设备整机厂密集联手,签约、供货、新品发布接踵而至,算力SST赛道一脚踩下了油门。

图片来源:集邦化合物半导体制图

SiC芯片成为固变“强心脏”

随着英伟达GB300、Rubin高端算力集群定型,行业正式敲定10kV、13.8kV中压直转800V直流的供电新标准。传统工频变压器像是老旧的“电力搬运工”,体积笨重、转换效率有限,已经跟不上高密度AI机柜的高速供电需求,固态变压器取而代之,已经是行业明确的大趋势。

从技术底层来看,碳化硅(SiC)芯片就是SST的“心脏”。数据显示,SST整机成本里有30%到40%都花在碳化硅器件上。在超高压、大功率的算力供电环境下,传统的硅基IGBT根本扛不住,不是散热罢工就是效率拉胯,这让碳化硅和SST成了深度绑定的“铁杆搭子”。

图片来源:集邦化合物半导体制图

靠着AI算力、储能、智能配网的多路爆发,碳化硅产业彻底告别了过去只靠“新能源车”单腿走路的局面,迎来了第二条黄金增长曲线。

通俗理解,传统变压器是用50Hz的“低频大铁芯”来搬运电力,笨重得像一头大象;而高压碳化硅(SiC)芯片堆出来的SST,是以几万赫兹的“超高频开关”在运作。芯片开关速度越快,变压器的体积就能缩减60%以上,省下来的机房空间,数据中心全用来塞英伟达的高配服务器。

海外巨头“神仙打架”

英伟达的800V直流供电白皮书,在数据中心掀起了一场电力革命。在这场算力与电力的“双向奔赴”中,海外半导体老牌玩家动作最快,加速给SST生态“供弹药”。

作为算力SST赛道的核心器件龙头,6月25日,英飞凌与臻驱科技官宣结盟。臻驱最新研发的35kV/7MW算力专用SST整机,里面塞满了英飞凌3.3kV和1.2kV的CoolSiC MOSFET模块。这台设备专为万卡智算集群和大基地储能这种“吞电巨兽”量身定制。

意法半导体(ST)采用“器件+电源”混合布局的打法,成功拿下英伟达生态核心门票。针对AI机房800V直流全新架构,ST自研搭载高压碳化硅、氮化镓技术的20kW超高密度电源板,专门适配新一代高密度AI机架,直接将设备能源损耗降低30%,凭借极致的能效表现,成为英伟达算力集群内部硬核的电力支撑底座,深度绑定高端AI算力供电场景。

Microchip(微芯)则精准直击SST行业痛点,拿出适配整机升级的“重装方案”。传统固态变压器层级串联多、电路结构复杂,高频运行稳定性差,针对这一行业难题,Microchip在5月底重磅推出专为AI数据中心定制的3.3kV高压碳化硅功率模块。该模块可支撑SST整机高频稳定运行,实现中压电网一步到位直降800V直流,省去多级变压冗余环节。目前这款核心模块已开启批量供货,稳定配套台达电、北美DG Matrix等头部设备厂商,全面卡位海外高端AI机房市场。

除此前落地的高端合作案例,欧美一线电力设备企业也已锁定2026—2027年SST商业化节奏。全球电力龙头伊顿持续推进算力专用SST产品迭代,目前2MW级样机已完成多轮验证,计划在2026年正式推出商用产品,并落地国内首个算力SST标杆项目,正式切入本土AI机房配电市场。

施耐德电气则聚焦数据中心轻量化、高效化改造,针对性布局800VDC Sidecar架构SST方案,适配高密度AI机柜的柔性供电需求,主打中小型智算中心与边缘算力场景。

北美老牌电力企业DG Matrix 同样加速落地,搭载Microchip 3.3kV高压碳化硅模块的中高压SST设备,已全面进入北美AI机房实测阶段,完成海外主流算力场景的技术适配与场景验证。

国内厂商“组团通关”

面对海外巨头的攻势,国内碳化硅上下游企业没有单打独斗,而是选择“组团通关”。从自研核心芯片、到拉起产业联盟,再到整机标准化,正用成本优势蚕食中高端和边缘算力市场。

高压核心芯片实现关键突破。6月22日,芯联集成公开自研的3300V高压SiC MOSFET产品,这款芯片专门为10kV、35kV算力固态变压器拓扑量身打造,目前已经通过国电南瑞、四方股份、金盘科技等多家头部整机厂商的送样验证。相比进口器件,这套国产化方案能把SST整机物料成本压低20%—35%,直接解决了高压固变设备造价偏高的核心痛点,让国产设备更具市场竞争力。

产业集群也在加速成型。6月10日,厦门牵头组建SST创新产业联合体,集结士兰微、三安半导体、瀚天天成三家IDM企业,覆盖SiC衬底、外延、芯片制造全流程,再联合科华数据、麦克奥迪等电力设备企业长期联合研发。相当于打通了从原材料到整机出货的全链条闭环,聚焦算力、储能场景开发标准化产品,计划1—3年实现规模化量产,打造出特色鲜明的算电融合产业集群。

中小功率场景的国产替代同步跑通。6月,凌锐半导体自研SiC MOS芯片完成批量交付,完美适配10kV商用固态变压器,成功落地园区微网、中小型边缘算力机房项目。这也意味着,国内中小功率SST器件正式实现全本土化批量供货,补齐了细分场景的最后一块短板。

整机龙头也完成了标准化产品布局,筑牢供应链安全底座。6月30日,国电南瑞发布第二代固态变压器,推出瑞磐、瑞霆、瑞融、瑞枢四大SiC固变系列。其中主打AI算力的瑞磐机型,可直接实现10kV电网直转800V直流输出,核心1200V SiC MOS模块由旗下南瑞联研自研自产,牢牢守住核心技术自主可控;超大功率机型则采用“自研+国产外采”的双供给模式,搭配中车时代半导体高压模块补足产能,兼顾了稳定与高效。

从“试水”到“出海”

上游碳化硅芯片给力,下游的SST整机厂自然底气更足。国内算力园区全面铺开,海外出口也实现了零的突破。

在国内,智光电气的Coota1.0碳化硅固态变压器,6月拿下了华南地区移动、联通好几家算力园区的亿元级大单,成了中小型算力机房的标杆。6月12日的南京固态变压器峰会上,三大运营商现场签约,百亿级的国电南瑞SST产业园也正式落户,把本地的碳化硅配套产线直接带飞。

在海外,金盘科技的全SiC 2.4MW机型完成了与英伟达Rubin算力平台的联调,开始向北美云厂商小批量送样;中国西电更进一步,斩获了海外AI数据中心的SST出口订单。打着中国印记的碳化硅固变设备走出国门,说明国产算电设备的技术拿到了国际通行证。

结语

回顾2026年这波热潮,SiC与SST的结合已经过了讲故事的阶段,迎来了真金白银的商用期。海外巨头盯紧万卡集群的“大蛋糕”,国内企业则靠自研和高性价比蚕食全场景。

随着英伟达800V直流供电架构成为行业标准,高压碳化硅芯片的消耗量猛增。伴随着各地产业园的开工,这场算力与电力的“双向奔赴”,或将成为第三代半导体未来重要增长引擎。

(集邦化合物半导体 林晓 整理)

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