两年一届的德国慕尼黑国际电子元器件博览会（Electronica）是全球电子元件领域规模大、影响广的盛会之一，今年将于11月15-18日在线下举办。据外媒报道，英诺赛科、纳微半导体、安世半导体、安森美、AOS等第三代半导体领域的龙头企业将汇聚慕尼黑，展示各自在SiC/GaN等功率半导体领域的最新技术和产品。
英诺赛科将携低、高压GaN功率半导体新品亮相
在本届展会上，英诺赛科将带来一系列低压、高压GaN功率半导体产品，展示其在功率半导体应用市场的最新研发成果。
低压产品部分，英诺赛科将展示30V-150V GaN功率器件，包含最新推出的通过JEDEC认证INN100W032A器件，电压等级100V, 典型RDS(on) 值低至2.4mΩ，采用WLCSP封装，封装尺寸仅为3.5mm x 2.13mm。
同时，英诺赛科也将展示适用于轻度混合动力汽车及工业应用的2.4kW 48V-12V双向升降压转换器样品，以及采用40V InnoGaN功率器件的150W升降压转换器。英诺赛科称，这些产品解决方案的尺寸及性能优势，体现了英诺赛科产品在驱动下一代USB-C, PD3.1设计的能力。
此外，英诺赛科也将展示双向（BiGaN）功率器件，这据称是首款导入手机内部的GaN器件，用于OPPO智能手机的电池管理系统。
高压产品中，英诺赛科将重点展示650V高压GaN功率器件产品组合，该系列产品导通电阻涵盖30毫欧到2.2欧，能够满足各种场景的功率转换器应用。
值得关注的是，英诺赛科将推出JEDEC认证的新型650V GaN HEMT INN650D080BS产品，典型RDS(on) 值为60mΩ，采用尺寸为8×8的标准DFN封装，这款产品已开始用于英诺赛科与两大合作伙伴联合开发的项目。
其中，英诺赛科与比利时鲁汶大学/Energie Ville合作采用650V GaN HEMT INN650D080BS器件开发400V双有源桥式（DAB）转换器，功率超1kW。英诺赛科与瑞士伯尔尼高等专业学院（BFH）研究所联合开发的项目也采用了这款器件，目的是开发800V多电平转换器。
除此之外，高压GaN HEMT系列中，英诺赛科也将展示一些样品，重点包括一款基于INN650D140A器件的紧凑型300W PFC + LLC 电源，广泛适用于消费家电、工业应用、计算机、医疗及游戏等丰富场景。
纳微半导体将展出GaN及SiC最新产品
纳微半导体近日透露，将于德国慕尼黑电子展推出GaN、SiC宽禁带半导体技术产品组合，覆盖20W-20MW的半导体应用，具体产品如下：
● 新型65V MHz GaNSense氮化镓半桥功率ICs，搭载自动、低损耗感测功能，防护速度快6倍；
● 新型750V-6.5kV GeneSiC碳化硅MOSFET，以耐高温、高速度性能为主要特点；
● 200W移动快充，10分钟内可实现0-100%的充电；
● 电动车车载充电器及22kW DC-DC设计产品，尺寸、重量缩小20%；
● “Titanium Plus”2.7kW高效电源，适用于数据中心场景；
● 高速、高效电机驱动，适用于家用电器、工业自动化等场景；
除了新产品之外，纳微半导体届时还将会在展会同期回顾最新的技术及市场进展。
值得关注的是，纳微半导体今年8月并购了SiC MOSFET品牌GeneSiC，第三代半导体业务从GaN延伸至SiC。2022年德国慕尼黑电子展将是其SiC和GaN产品首次同时亮相的平台。纳微欧洲高级销售总监Alessandro Squeri表示，对于纳微进军高功率市场和工业市场而言，今年是突破性的一年。
安世半导体将展出GaN、SiC相关样品
安世半导体表示，德国慕尼黑国际电子展为企业提供了与客户面对面沟通和交流的机会，也为厂商提供了聚焦网联化、数字化、电气化、自动化、可持续发展及能源效率等当下行业大趋势的平台。
在本届展会上，安世半导体将展示面向电源管理、信号转换等不同应用场景的精密、高功率量产解决方案。同时，安世半导体还将展示一些GaN、SiC相关的样板，具体如下：
●CCPAK：新型表面贴装铜片夹扣键合（Copper Clip）封装，适用于功率GaN；
● GaN FETs双脉冲评估板；
● 650V SiC整流器动态性能测试评估板；
● 含电池充电机的电源管理IC，适用于无线传感器及由纽扣电池驱动的IoT应用；
● 首款功率转换应用栅极驱动IC；
安森美将展示搭载其SiC技术的奔驰汽车
安森美本次展品的两大亮点是顶部冷却MOSFET及搭载SiC技术的奔驰VISION EQXX概念车。
奔驰VISION EQXX汽车搭载了安森美的SiC技术，以高效、长续航里程等为特点，据说仅充一次电就可以从德国开到英国，全程1202公里（747英里）。
除此之外，安森美本次的展品也包含不少基于SiC技术的电动车、先进安防、工厂自动化、能源基础设施及电动车充电应用。
另一个重点展示的样品搭载了创新型顶部冷却MOSFET器件，可简化电动机控制及DC-DC转换等应用的散热设计。7个器件集成在LFPAK封装中，尺寸仅5x7mm，搭载15mm2的导热垫片，可直接通过散热片散热，不需要借助PCB板，有利于降低PCB的温度，从而提升整体系统的可靠性和使用寿命，降低系统成本。
AOS将展示车用、工业应用SiC MOSFET
AOS（Alpha and Omega Semiconductor，阿尔法和欧米伽半导体）将展示车用、工业应用650V、750V SiC MOSFET新品以及分立半导体、IC产品线。
650V / 750V / 1200V SiC MOSFET的RDS(ON) 范围覆盖15-500mohm，采用多种标准封装方式，其中650V/750V产品已通过AEC-Q100认证，具有较低的比导通电阻（RDS(ON), SP）与短路时间。（文：集邦化合物半导体 Jenny）
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