7月3日，英飞凌在其官方网站宣布，其基于12英寸晶圆的可扩展氮化镓（GaN）制造技术已取得突破性进展。这一里程碑标志着GaN功率器件的大规模商业化生产迈出了关键一步，首批样品预计将于2025年第四季度交付客户。
图片来源：英飞凌官网截图
氮化镓作为新一代宽禁带半导体材料，以其卓越的高频、高效和高功率密度特性，在数据中心电源、电动汽车车载充电器、可再生能源逆变器以及消费电子快速充电等多个领域展现出巨大潜力。传统上，GaN器件主要在6英寸或8英寸#晶圆 上制造，限制了其成本效益和产能扩张。
英飞凌此次在12英寸晶圆上成功实现GaN技术的量产准备，意味着能够显著提升单片晶圆的芯片产出量，从而有效降低制造成本，并为市场提供更具竞争力的GaN解决方案。这不仅将加速GaN技术在现有应用中的普及，也将为其进入更广阔的市场创造条件。
公司表示，此项技术进展得益于其在材料科学、晶圆制造工艺以及器件设计方面的深厚积累与持续投入。12英寸晶圆的导入将确保英飞凌能够满足日益增长的GaN市场需求，并巩固其在功率半导体领域的领导地位。
随着人工智能（AI）算力需求的激增，英飞凌积极响应，为AI服务器和数据中心提供先进电源解决方案。英飞凌正与NVIDIA携手，共同推动未来AI服务器机架电源架构的变革，以实现高效率、可靠且可扩展的电源转换，此项合作细节已于2025年5月22日通过新闻稿公布。在电池备份单元（BBU）方面，英飞凌在近期发布的技术路线图中，公布了新一代AI数据中心BBU解决方案发展蓝图，涵盖从4kW到全球首款12kW的BBU电源方案。
此外，在今年的慕尼黑上海电子展上，英飞凌展示了全球最薄的硅功率晶圆（20微米），通过降低晶圆厚度将功率损耗减少15%以上，此项技术可广泛应用于包括AI在内的多领域。
（集邦化合物半导体整理）
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