据韩媒THE ELEC于2026年3月19日报道，三星的8英寸氮化镓（GaN）生产线已准备就绪。
三星半导体在2023年曾宣布其功率半导体晶圆厂将于2025年投产，但实际进度有所滞后。据最新行业消息，三星的首条8英寸GaN生产线预计最快将于2026年第二季度投产，初期营收规模预计不超过1000亿韩元。
报道称，三星电子已构建了除芯片设计外的GaN解决方案体系，能够自主生产GaN外延晶圆。
此外，三星电子还计划在今年内启动碳化硅（SiC）功率半导体晶圆代工生产线的运营。三星在SiC领域具备包括设计在内的全流程能力，可与GaN在不同耐压区间形成互补。
此前有媒体报道，三星已投资约1000亿至2000亿韩元引进先进工艺设备，其中包括Aixtron的MOCVD设备，用于碳化硅和氮化镓（GaN）晶圆的加工。
（集邦化合物半导体整理）
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