近期，国内第三代半导体领域捷报频传，深圳、苏州两地在核心技术与关键工艺上相继取得突破性进展：深圳平湖实验室联合高校团队研制出具备反向导电特性的新型SiC光控晶体管，为脉冲功率领域应用提供新方向；苏州则由科研机构与企业携手，在大尺寸碳化硅晶锭激光隐形切割技术上实现重大突破，进一步完善碳化硅材料加工工艺链条。
1、深圳：SiC光控晶体管研制方面取得新进展
近期，深圳平湖实验室与西安理工大学功率半导体器件及装备创新团队联合研究的最新成果在国际权威期刊 IEEE Electron Device Letters（EDL）上发表(doi: 10.1109/LED.2025.3593224)，论文题为 “Pulsed Characterization of 1.2 kVSiCOptically Controlled Transistor With Reverse Conducting Performance”。该工作提出并制备了一种具备反向导电特性的新型4H-SiC光控晶体管（RC-OCT），实现了SiC光控器件在脉冲功率领域的创新性突破。
图片来源：平湖实验室
本研究为SiC光控晶体管在脉冲功率开关器件中的应用提供了实验基础与设计思路，对推动SiC光控器件向更高电压、更高功率、更快速度方向发展具有重要意义。
资料显示，深圳平湖实验室是国家第三代半导体技术创新中心（深圳）的运营主体，其使命是聚焦第三代半导体领域器件物理研究、材料研究、技术开发、产品中试，并前瞻性布局第四代半导体前沿研究，致力于打造第三代及第四代功率半导体科研与中试平台。
2025年，深圳平湖实验室在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延，打破了大尺寸GaN与SiC材料单片集成的技术瓶颈。
此外，其自主知识产权8英寸高性能沟槽栅SiC MOSFET芯片工艺平台流片成功，在SiC激光剥离技术领域取得新进展，性能指标达到国际先进水平。
2、苏州：大尺寸碳化硅激光切割技术取得突破性进展
10月28日，江苏第三代半导体研究院官微宣布，江苏第三代半导体研究院、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）联合苏州博宏源设备股份有限公司共建晶体加工中心，联合开展激光隐形切割技术的研发，在大尺寸碳化硅晶锭激光隐形切割上取得重大技术突破。
图片来源：江苏第三代半导体研究院
据介绍，激光隐形切割(Stealth dicing，简称SD)碳化硅晶锭的原理是利用激光光学非线性效应，使激光穿透碳化硅晶体表面，在晶体内部聚焦导致碳与硅原子发生热致开裂、化学键断裂与分解、激光诱导电离等一系列物理化学过程，形成垂直于激光入射方向的改质层，在外力物理作用下实现碳化硅晶片的剥离切割。
资料显示，江苏第三代半导体研究院是由江苏省、苏州市、苏州工业园区与第三代半导体产业技术创新战略联盟和研究院核心运营团队共建的新型研发机构。国家第三代半导体技术创新中心以江苏第三代半导体研究院为主体进行建设，主要聚焦第三代半导体在新型显示、下一代通信、电力电子、环境与健康等领域的应用。
#苏州博宏源 则是一家专注于化合物、蓝宝石、光学等硬脆材料的高精度研磨抛光加工装备的研发与制造的企业。2025年，华海清科股份有限公司完成对苏州博宏源的战略投资，双方将在研发、供应链、销售等领域深度协同合作，共同构建精密减薄、研磨、抛光平面化装备的一站式平台。
（集邦化合物半导体 金水 整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。