在新能源汽车高压化与AI算力爆发双重驱动下，碳化硅（SiC）功率半导体正加速向车规主驱、AI数据中心等领域渗透。2026湾芯展期间，长飞先进举办“巅峰之上·跨越四年的技术长征”技术发布会，集中发布高性能SiC MOSFET芯片、DeepXE™嵌入式PCB模块及AI数据中心PG4E单管、EZ2C/3C模块等新品。同时，长飞先进高管还在会后交流中分享了对车用、数据中心及产业趋势的看法：车用800V加速渗透，AI数据中心800V HVDC蓄势待发，碳化硅产业竞争焦点正从单一器件指标转向应用生态与综合能力。
从车规主驱到AI数据中心，SiC新品全矩阵集中展示
长飞先进此次在湾芯展的亮相，并非单一产品发布，而是一次从芯片到模块、从车规到AI数据中心的系统化展示。
车规主驱方面，长飞先进面向车规主驱市场正式发布了自主研发的高性能SiC MOSFET系列芯片及DeepXE™嵌入式PCB功率模块。其中，高性能SiC MOSFET系列芯片拥有丰富的产品矩阵及成本优势，Rsp低至1.7~2.2mΩ.cm²，主要适配700V/800V/900V高压系统，短路耐受时间SCWT及短路能量ESC达业内先进水平，同时通过了AEC-Q101标准下全套可靠性测试及强化寿命与环境试验条件3000小时验证。
而DeepXE™嵌入式产品则拥有三大技术亮点：一是基于Cavity-Free AMB内嵌单元的创新PCB叠构方案；二是功率半导体芯片表面金属化与关键界面先进互联工艺；三是电热磁力多物理场约束下的芯片排布与功率路径3D构建。在先进技术方案加持下，DeepXE™较传统封装形式，电流密度可提升20%、热阻Rth降低15%，杂散电感降低75%至0.9nH；体积和重量同时降低50%，整体开关损耗降低20%，为车规主驱客户直接提供了一套高功率密度、高性能嵌入式功率模块终端方案。官方信息显示，该产品已完成性能和方案验证、可靠性摸底，预计明年上半年完成完整可靠性测试、一致性稳定性提升和工业化验证等全链路验证闭环。
AI数据中心方面，长飞先进发布了基于成熟量产芯片PG4E的单管系列及EZ2C/3C特色模块家族。PG4E单管系列为750V及1200V产品，与当前国内外同类产品相比，具有高可靠、低损耗的特点，性能上更适合AIDC这种追求极致效率的应用场景。其内部验证采用加严版AEC-Q101的可靠性验证方式，并通过3000小时可靠性验证，可满足200℃ HTRB/GB、100% HV-H3TRB的可靠性要求。EZ2C/3C SiC功率模块则为国内首个采用先进扩散焊工艺的功率模块。相较传统锡焊片工艺，EZ2C的节壳热阻可降低18%，满载时芯片节温可降低25℃以上；同时EZ家族全系采用耐高温材料体系，支持SiC 200℃以上的工作温度，可充分释放SiC的材料优势。此外，EZ3C还创新集成了高效SHB三电平拓扑，可将单个SST模块的功率从当前的70kW推至100kW以上，并将10kV AI SST的级联级数从16级降至8级，极大降低了SST的系统复杂度，有助于SST长期不间断服役下的可靠性。
在车规主驱及AI数据中心之外，长飞先进同步推出了覆盖消费电子与工业应用的全系列产品，并重磅发布了高性能沟槽技术平台，全面展现了其在碳化硅领域的深厚积累与系统化布局。
对话长飞先进：车用、数据中心与产业下一程
产品矩阵的集中展示，折射出长飞先进对市场节奏的判断。在会后深度交流中，长飞先进战略运营中心副总裁李刚先生进一步阐述了车用、数据中心以及产业竞争格局的变化。
长飞先进战略运营中心副总裁李刚
车用与数据中心趋势：800V平台加速渗透，AI算力打开长期空间
在车用和数据中心这两个核心市场，长飞先进的策略既有共通之处，也有明显区隔。李刚表示，新能源汽车最开始用400V平台，主要用IGBT，碳化硅用得很少；随着充电效率和行驶里程要求提高，800V平台推出后，碳化硅变成必需品。过去几年，随着800V平台推出，碳化硅在新能源汽车里的渗透率上升得非常快。在车规市场，长飞先进目前主推PG5E，其芯片已通过AEC-Q101认证，模块已通过AQG324认证。DeepXE™嵌入式PCB产品预计明年上半年完成全链路验证闭环。目前，长飞先进已有多款产品进入测试阶段，涵盖面向Tier1的芯片、模块产品以及嵌入式产品。
AI数据中心则被李刚视为“路径与汽车很像”的长期赛道。他分析，AI数据中心800V HVDC行业层面去年才正式推向市场，现在行业里讨论800V HVDC的声音很多，但真正落地采用800V HVDC架构的数据中心数量其实还不多。由此可见，碳化硅器件在AI数据中心的长期应用前景十分广阔，不过就当前阶段而言，市场体量还没有完全起来。长飞先进AI数据中心的产品，不管是单管解决方案还是模块解决方案，都是基于PG4E展开的。李刚认为，目前行业内还没有一个标准的AI数据中心可靠性测试标准，但在长飞先进看来，数据中心应用对可靠性的要求应该会比车规还要高。目前，单管产品有很多已经进入测试应用阶段；EZ2C、EZ3C模块才刚刚发布，还需要一些时间做市场反应的测试。
竞争与成本：Rsp、可靠性与规模化是底牌
谈及碳化硅领域的竞争核心，李刚表示，核心指标之一是比导通电阻，即Rsp，但除此之外还有非常多的技术参数需要衡量，包括长期可靠性、鲁棒性及功率等级。面对车企等价格敏感客户，长飞先进的成本优势主要来自三个方面：第一是精益生产与规模化，晶圆制造需要足够规模，规模效应能够有效摊薄成本，长飞先进产能规模位居国内前列；第二是通过智能制造理念或方法，让生产成本降得更低；第三是工艺创新，例如嵌入式产品采用表面镀铜，省去很多传统贵金属工艺，成本就降下来了。良率方面，李刚特别强调，比较良率一定要说die size，抛开die size讲良率没有意义。以5×5mm die为例，一片6英寸晶圆的有效die数量大约在四五百颗，如果存在100处缺陷，大约四分之一die会报废；但如果是小die，可能有7000颗甚至1万颗，100处缺陷对良率影响就非常小。长飞先进5×5mm die size的良率可以做到98%以上，在国内处于前列位置。
生态与未来：从卖芯片到共建应用生态
对于未来三到五年的行业洗牌，李刚认为，行业对成本、产品质量与性能、可靠性的要求都非常高，只有具备非常强的生产能力、很强的产品研发能力，以及深厚扎实的应用功底这三方面综合能力的公司，才可以在未来几年处于一个相对不掉队的位置。下一步重点是共建产业生态。过去很多企业需要功率芯片时，选择国际大厂成熟方案是最简单稳妥的方式；但对于国内很多碳化硅厂商，也许现阶段还不具备，这就需要跟客户互相配合，把芯片用得更好。李刚举例，在传统的物理世界一些领域并没有真正大量使用功率芯片，很多变压器、继电器、空气开关仍然采用传统机械结构，理论上都可以用功率芯片替代，之所以还没有大规模替换，核心难点就在于应用落地。基于嵌入式方式，长飞先进正在探索把更多功能，比如应用端的驱动、各种周边、整个控制回路的装置，通过嵌入式方式嵌入到一块PCB里，通过提供一套完整解决方案的产品，来降低客户使用的门槛。李刚判断，随着AI算力时代到来，算力最终一定要落实到物理世界，物理世界的动作需要功率器件驱动，因此未来几年功率芯片的需求会迎来强劲增长。
结语
从车规主驱到AI数据中心，从工业到消费电子，长飞先进正以自研功率模块、芯片及单管等全矩阵产品，持续拓宽碳化硅技术的应用边界。技术迭代不止，市场蓝海可期。在新能源汽车与AI算力爆发的双重浪潮下，长飞先进正加速驶入功率半导体的黄金赛道，以先进碳化硅技术赋能产业变革新时代。
（集邦化合物半导体整理）
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