在“十四五”规划等国家政策的推动下,半导体集成电路领域正在快速成长,其中,第三代半导体器件凭借较大的禁带宽度、高导热率、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、优良的物理和化学稳定性等特点,备受企业和资本市场的热捧。
据了解,国星光电于2020年启动了组建功率器件实验室及功率器件产线的工...  [详内文]
国星光电推出第三代半导体新产品 |
作者 huang, Mia|发布日期 2021 年 04 月 20 日 13:44 | 分类 产业 |