SiC开启800V新时代,政企双端发力

作者 | 发布日期 2023 年 12 月 15 日 20:36 | 分类 功率

12月14日,全球领先的车用技术企业采埃孚,宣布其电机产量已突破300万台大关。

采埃孚称,电机量产超过300万台显示出市场对纯燃油发动机的依赖不断减少,标志着整个行业朝着电动化出行的成功转型。

值得一提的是,采埃孚此前推出采用碳化硅(SiC)技术的EVSys800电驱动系统,展示了在电动出行效率和续航里程提升方面的潜力。据了解EVSys800是一个模块化的800V驱动系统,由SiC逆变器、电机和减速器组成。尽管设计极其紧凑,重量也很轻,但在EVbeat中的性能表现却十分强悍,搭载这款系统的车辆将在未来几年内亮相。

为了保障该800V驱动系统的产量,今年2月,采埃孚与SiC供应商Wolfspeed建立合作伙伴关系。双方将建立联合创新实验室,推动碳化硅在出行、工业和能源领域的应用。同时,采埃孚将支持投资Wolfspeed德国萨尔州的的一座SiC晶圆工厂,该工厂将生产200毫米SiC晶圆。

事实上,不止采埃孚押宝800V平台。在前不久的广州国际车展上,已有多家车企亮出了搭载800V平台的车型,如智界S7、仰望“易四方”系列、吉利银河E8、极氪007等20+款式,都采用了SiC技术。

值得注意的是,广州国际车展作为国内影响力最大的车展之一,加上该次展会是本年度最后一场,它所呈现的趋势也恰恰代表了整个行业一年的缩影,即汽车企业已将目光投向了补能速度快、续航能力强、运行效率高的800V车型,而目前SiC又在800V平台中起关键作用,两者相辅相成,相关技术快速成长。

SiC助力,城市加快建设超充

电动汽车想要最大限度缩短补能时间,在自身搭载高压平台的前提下,配合高功率充电桩才能将效果发挥到极致。

与传统的硅基解决方案相比,SiC技术可帮助电动汽车充电站将效率提高 1%,从而减少能源损失和运营成本。对于一个 100 kW 的充电站来说,这相当于节省 1 kWh 的电量,每年节省 270 欧元(折合人民币约2100元),减少碳排放3.5吨。因其优秀的物理属性,目前SiC已被充能相关企业采用,在超充领域“大展身手”。

今年9月,英飞凌与国内充电模块公司英飞源达成合作,其将为英飞源提供业界领先的 1200V CoolSiC™MOSFET 功率半导体器件,以提高电动汽车充电站的效率。10月,意法半导体宣布将和国内车载电源龙头欣锐科技深化合作。欣锐科技为应对800V平台快速发展的趋势,于今年6月,发布了公司第一代SCM超充解决方案,并推出了搭载SiC 的60kW和75kW两款大功率超充模块。

据了解,SCM超充解决方案的超充单模块功率变换技术应用欣锐科技最新的全SiC解决方案,充电效率高达97%,同时采用先进的高频磁集成技术以及三维堆叠的封装技术助力高达3KW/L的功率密度设计,相较传统设计体积优化30%,重量优化15%,有助解决充电桩行业长期以来存在的电损高、成本高等痛点。

12月7日,在海南省海口市举行的2023世界新能源汽车大会上,华为数字能源技术有限公司总裁侯金龙表示,华为数字能源将携手客户、伙伴,计划于2024年率先在全国340多个城市和主要公路部署超过10万根华为全液冷超快充充电桩,实现“有路的地方就有高质量充电”。

据华为智慧能源官网介绍,华为全液冷超充聚焦高速公路服务区、城市公共交通、园区光储充三大场景。超充系统采用单桩单枪设计,液冷超充主机功率为720kW,单路最大输出功率为600kW,最快实现“一秒一公里”,同时支持200-1000V充电范围,可以兼容特斯拉、蔚来、理想等各种已有车型和规划车型。

在“碳中和”的大环境下,除了企业,政府也在发力。

除了海南,深圳作为超一线城市,也吹响了打造“超充之城”的号角。

前不久,深圳市发改委编制的《深圳市新能源汽车超充设施专项规划(2023—2025年)》提出,2024年3月底前,建成不少于300座公用超充站,公共充电桩车桩比、超充桩占比达到世界领先水平。到2025年,形成“车能路云”深度融合发展的产业生态,打造世界一流的“超充之城”,助力实现碳达峰碳中和目标。

根据深圳发布官微消息,目前深圳全市已建成超充站65座,南山、福田、罗湖、宝安、龙华、龙岗、光明、坪山等区均已布局超充站点。

据了解,大量部署超充桩大概率会采用“储充光云”一体化液冷超充网络。这其中光伏逆变器、电网系统以及超充桩都会需要SiC器件,有望带动我国SiC产业进一步飞速发展。

SiC与800V携手共进

折回到前文,采埃孚之所以要和SiC龙头Wolfspeed绑定,是因为SiC是其800V 电驱系统的核心材料之一,同理,国内800V SiC车型发展势态也和SiC功率器件的生产状况息息相关。

今年,无论是产业链上游还是下游,企业融资、扩产、推新的消息不断,国内相关厂商发展势头十足。以SiC衬底为例,当前中国正在展开大规模的SiC材料扩产行动,TrendForce集邦咨询预估2023年中国N-Type SiC衬底产能(折合6英寸)可达1020Kpcs。就SiC MOSFET晶圆产能来看,TrendForce集邦咨询统计2022年由中国厂商释放的SiC MOSFET晶圆产能尚不足全球10%,不过这一情况预计自4Q23开始会有所好转。

在“碳中和”的潮流,SiC作为推动电车往高压发展的关键材料,在企业和政府通过技术与政策双料加持下,在促进800V电车常态化的路上飞奔,而800V的普及又可以反哺SiC产业的发展,形成良性循环。

集邦化合物半导体Rick

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