4月8日，三菲化合物半导体光芯片制造基地项目签约落户江苏太仓，项目计划总投资达20亿元，将聚焦化合物半导体光芯片研发与制造，填补区域相关产业空白，助力太仓打造半导体产业集群。
化合物半导体光芯片是光通信、5G通信、人工智能、物联网等新兴领域的核心元器件，市场需求持续攀升，也是我国半导体产业自主可控的关键环节。
此次落户的三菲化合物半导体光芯片制造基地项目，将分两期推进建设，其中一期项目总投资10亿元，预计于2026年8月正式开工建设，2028年实现投产运营，达产后可实现年产值超10亿元。
三菲半导体成立于2002年，立足自有光芯片、电芯片、算法的核心技术能力，专注于模拟光和相干光的光电一体化解决方案。
为进一步拓展业务、扩大产能，三菲决定在太仓市城厢镇投资建设三菲化合物半导体光芯片制造基地项目，主要从事InP激光器和光电探测器芯片、GaAs激光器芯片的研发与制造，打造外延生长、光芯片制造、光电融合一体化产业链。
（集邦化合物半导体整理）
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