东芝（Toshiba）集团在2023年底完成私有化并从公开市场退市后，其业务重组和战略方向调整的具体举措正逐步明晰。今年8月11日，据外媒最新消息，东芝核心半导体制造子公司“日本半导体公司”（Japan Semiconductor Corporation, JSC）计划扩大其8英寸晶圆的代工产能，显示出集团正将资源向功率半导体等核心业务集中。
JSC扩大8吋晶圆代工，目标产能提升1.5倍
根据报道，JSC计划扩大其位于日本岩手县主力工厂的8英寸晶圆代工产能，目标是提升至现有水平的1.5倍。扩充的产能将主要用于满足车用和工业设备领域客户对功率半导体和逻辑IC的需求。
公开消息显示，2023年12月，由“日本产业合作伙伴”（JIP）主导的财团完成了对东芝的收购，结束了其长达74年的上市历史。此举使东芝得以从资本市场的短期业绩压力中脱离，从而能够进行更长远的战略规划。重组后的东芝，业务重心向其具备传统优势和较高利润率的能源、基础设施及半导体等领域收缩。本次JSC的扩产计划，被认为是东芝新管理层在半导体板块作出的最重要投资决策之一。
日本半导体公司（JSC）是东芝的半导体制造核心实体，其主力工厂位于日本岩手县，该公司整合了过去位于大分县等地的制造资源，长期负责生产东芝的功率器件、模拟IC等产品，具备稳定的量产经验和工艺基础。
此次扩产旨在提升JSC的盈利能力。目前，来自外部客户的晶圆代工业务约占JSC营收的10-20%，JSC希望通过此次扩产，在未来将这一比例提升至30%左右，从而有效提高工厂的产能利用率。虽然公司未透露具体的投资金额，但产业链人士透露，这将是一笔涉及数十亿美元的长期资本支出。
东芝技术与市场动态频频
除了宣布产能扩张的远期规划，东芝近期在第三代半导体技术和市场层面也有一系列具体进展，显示其战略部署正在加速执行。
在技术产品层面，东芝已于近期开始量产其最新的第四代SiC MOSFET。据公开资料显示，该系列产品通过优化芯片结构，进一步降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了设备运行时的能量损耗。新产品主要面向需求日益增长的电动汽车逆变器、开关电源和数据中心服务器电源等应用。
在氮化镓（GaN）领域，市场消息显示东芝正积极将其8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术推向市场。该公司已开始向部分服务器和数据中心设备制造商提供GaN器件样品，用于下一代高效电源供应单元（PSU）的评估。相较于主流的6英寸平台，8英寸平台在成本控制和产能规模上更具潜力。
在生产链布局上，东芝也已补齐关键环节。今年3月，其位于兵库县的姬路半导体工厂，用于生产车用功率半导体的后段制程（back-end）新厂房已宣布完工。该厂房将使姬路工厂的组装产能提升一倍以上，并已进入本财年上半年（2025年4月至9月）的全面量产阶段。此举与JSC在前段晶圆制造的扩张计划相辅相成，构成了从前到后的完整生产能力。此外，东芝也正在其位于日本石川县的加贺东芝电子（Kaga Toshiba Electronics）工厂建设一座全新的300毫米（12英寸）晶圆厂。这是东芝在功率半导体领域最重大的投资，旨在实现产能的跨越式增长，这表明东芝的投资是系统性的，旨在提升从晶圆制造到后段封装的整体生产能力。
图片来源：东芝公告
公司发言人指出，无论是电动汽车的逆变器、车载充电器，还是太阳能发电的逆变系统、AI数据中心的服务器电源以及5G基站的射频模块，都对高效能功率器件提出了前所未有的需求。通过扩大SiC和GaN的产能，日本半导体公司将能更好地服务于这些高增长领域的客户。
然而，东芝也面临着激烈的市场竞争。在SiC领域，德国的英飞凌、美国的Wolfspeed、意法半导体和日本的罗姆等公司已建立了显著的先发优势和市场份额。在GaN领域，同样有众多初创公司和老牌大厂在积极布局。
分析认为，东芝的竞争优势在于其作为IDM（整合元件制造商）的身份，能够协同内部的研发、制造与销售，并依托其在日本汽车和工业领域的长期客户关系。但其挑战在于，如何在产能规模和成本控制上，快速追赶上第一梯队的竞争对手。
（集邦化合物半导体 竹子 整理）
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