近期，功率半导体行业迎来重要技术进展，英飞凌、GE Aerospace和SemiQ Inc三家企业分别在氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)领域取得新进展。
01、英飞凌推出首款100V车规级GaN晶体管
11月6日，英飞凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽车电子委员会(AEC)汽车应用标准的氮化镓(GaN)晶体管系列，正式进军车规级GaN市场。该系列命名为CoolGaN™ 100V G1，已开始提供符合AEC-Q101标准的预量产样品，包括CoolGaN™高压(HV)车规级晶体管及多种双向开关。
图片来源：英飞凌
英飞凌科技GaN业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：”通过将GaN功率技术引入快速发展的软件定义汽车和电动汽车市场，英飞凌将进一步巩固其在汽车半导体解决方案领域的全球领先优势。此次推出100V GaN车规级晶体管解决方案和即将扩展的高压产品组合，是我们开发高能效、高可靠性的车规级功率晶体管进程中的重要里程碑。”
相比传统硅基器件，GaN功率器件能实现更小的尺寸、提供更高的能效，同时降低系统成本。在软件定义汽车从12V向48V系统转型的过程中，基于GaN的功率转换系统不仅能提升性能，还可支持线控转向、实时底盘控制等先进功能，极大改善驾乘舒适性与操控性。
CoolGaN™ 100V G1车规级晶体管主要适用于区域控制和主DC-DC转换器、高性能辅助系统及D类音频放大器等应用场景，为车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)和新型气候控制系统提供高效电源解决方案。
02、GE Aerospace发布第4代碳化硅MOSFET器件
11月12日，GE Aerospace宣布在纽约尼斯卡尤纳的研究中心成功演示了第四代碳化硅（SiC）功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，这将提升切换速度、效率和耐用性。
图片来源：GE Aerospace官网
据了解，这款最新一代的SiC功率器件芯片尺寸为5毫米×5毫米，提供1200V和11mΩ的电压，拥有业内领先的200°C温度额定。 随着各行业在混合动力和纯电动车（HEV和BEV）平台中采用先进半导体技术，以及更高效的电力解决方案，这些先进电力设备将在效率和功率密度上带来重大突破，以满足日益增长的能源和电力需求。
GE Aerospace 总裁兼总经理Kris Shepherd表示：“我们最新的第四代SiC MOSFET在性能上带来了飞跃性的变化，使其在汽车、可再生能源、人工智能数据中心和工业电力行业等多个行业中极具吸引力。”这些行业有机会在所有这些应用领域实现效率、可靠性和功率密度的显著提升。”
03、SemiQ推出新型SOT-227封装高性能碳化硅模块
11月13日，SemiQ Inc宣布推出了五款提供R功能的SOT-227模块DSon（DSon）分别是7.4、14.5和34 mΩ。SemiQ的GCMS模块采用肖特基势场二极管（SBD），在高温下开关损耗更低，尤其与非SBD的GCMX模块相比。
图片来源：SemiQ Inc官网
该设备面向中压高功率转换应用，包括电池充电器、光伏逆变器、服务器电源和储能系统。所有模块均通过晶圆级栅极氧化层烧入测试进行筛查，电压超过1400伏，并进行了800 mJ的雪崩测试（34 mΩ模块为330 mJ），它们专为坚固、易于安装和热性能而设计，具有隔离背板和直接安装到散热器的能力。
7.4mΩ GCMX007C120S1-E1模块实现了4.66mJ（3.72mJ导通，0.94mJ关断）的低开关损耗和593nC的体二极管反向恢复电荷。结到壳的热阻范围为0.23°C/W至0.70°C/W，具体取决于模块。
资料显示，SemiQ Inc是一家总部位于美国的碳化硅（SiC）功率半导体专业企业，专注为高压场景提供高性能碳化硅解决方案，产品包括分立、模块和裸芯片格式的MOSFET和二极管等。
（集邦化合物半导体 金水 整理）
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