近日，印度官方宣布，在印度半导体计划（ISM）框架下，新增批准4个半导体项目，使ISM项目总数由6个增至10个。这4个项目涉及约460亿卢比（约合37.77亿元人民币）投资。值得关注的是，这四个项目中包含印度首座商业化合物半导体晶圆厂。
据了解，该厂由印度SiCSem公司与英国Clas-SiC合作建设，位于奥里萨邦首府布巴内斯瓦尔的 “信息谷”。该工厂专注于碳化硅（SiC）晶圆及器件生产，年产能达6万片晶圆和9600万个器件，产品将应用于电动汽车、国防装备、铁路、快充桩及光伏逆变器等领域。
除此之外，还包括一座先进封装与玻璃基板工厂，同样位于奥里萨邦的3D Glass Solutions工厂，投资194.3亿卢比，引入全球尖端的3D异构集成（3DHI）技术和玻璃中介层工艺。其年产能规划为69,600片玻璃基板、13,200个3DHI模块及5000万个组装单元，产品将服务于国防、人工智能、射频通信及光子集成等高端领域。
此次印度政府批准使ISM框架下的项目总数增至10个，累计投资突破1.6万亿卢比（约192亿美元），覆盖半导体制造、封装测试、化合物半导体等多个领域。印度政府通过生产关联激励（PLI）计划提供资金支持，旨在吸引国际技术合作并培育本土产业链。
第三代半导体方面，印度当前90%的芯片依赖进口，此次项目聚焦碳化硅、先进封装等关键领域，旨在降低对海外地区的依赖，增强自身供应链韧性。首座碳化硅晶圆厂的建设也有望将推动印度进入第三代半导体制造，使其在人工智能、5G通信等新兴市场中具备竞争力。
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。