9月3日，“镓仁半导体”官微透露，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”) 8英寸氧化镓衬底今年7月通过了国内/国外知名机构的检测，并联合发布检测结果。
深圳平湖实验室检测结果显示，本次测试样品为氧化镓8英寸衬底，取点共计5个，XRD摇摆曲线半高宽测试结果：22~26 arcsec。
图片来源：镓仁半导体
图为8英寸衬底XRD摇摆曲线半高宽第三方测试结果-（深圳平湖实验室）
马尔文帕纳科亚太卓越应用中心检测结果显示，本次测试样品为氧化镓8英寸衬底，取点共计5个，XRD摇摆曲线半高宽测试结果分别为：16.7 arcsec、16.2 arcsec、15.4 arcsec、15.3 arcsec、12.4 arcsec。
资料显示，2025年3月，镓仁半导体发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶，并加工出8英寸衬底。
图片来源：镓仁半导体
目前在售的氧化镓衬底晶圆主要以2英寸和4英寸为主，难以与主流的Fab场产线设备兼容，这提高了下游器件厂商研发的难度与成本，导致氧化镓应用推进缓慢。
镓仁半导体表示，上述第三方检测结果表明，8英寸衬底XRD摇摆曲线半高宽<30 arcsec，达到国际领先水平。同时，该公司指出，本次质量检测结果充分证明，镓仁半导体8英寸晶圆衬底质量能够满足硅基8英寸产线生产要求，这将大幅降低下游应用端研发的难度与成本，促进产业化应用的快速落地。
据悉，镓仁半导体氧化镓衬底已逐步实现产业化，为下游客户提供大尺寸高质量的氧化镓单晶衬底产品。目前，镓仁半导体8英寸衬底已实现产品销售出货。
资料显示，氧化镓（Ga₂O₃）是第四代半导体材料，因其超宽禁带、高击穿场强和低成本潜力，正成为电力电子、军事雷达、电动汽车充电等领域的关键材料。
氧化镓熔点高达1900℃，不溶于水，微溶于热酸或碱溶液。其β相稳定性最佳，具有4.9eV的禁带宽度（远超硅的1.1eV和碳化硅的3.3eV），以及8MV/cm的高击穿场强，使其在高压、高频、高温等极端环境下表现优异，未来发展潜力巨大，全球竞相角逐研发，我国也不例外。
业界指出，我国在氧化镓领域已形成从材料生长到器件研发的完整产业链，部分技术达国际领先水平，主要氧化镓公司包括北京镓族科技、杭州富加镓业、中电科46所、镓仁半导体等。与此同时，西安电子科技大学、浙江大学等高校也为氧化镓技术突破做出了贡献。
（集邦化合物半导体 秦妍 整理）
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