11月12日，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布，已完成SK Powertech的收购，正加速开发碳化硅（SiC）化合物功率半导体技术，目标在2025年底前推出碳化硅MOSFET 1200V工艺技术，并于2026年上半年启动碳化硅功率半导体代工业务。
图片来源：SK keyfoundry官网新闻稿截图
资料显示，SK keyfoundry是韩国一家专注于8英寸晶圆代工的企业，总部位于韩国清州。其拥有一座晶圆厂，月产能约为10万片晶圆。主要从事模拟混合信号芯片的代工业务，产品包括显示驱动芯片（DDI）、微控制器（MCU）和8英寸功率分立器件等，适用于小批量多样化产品生产。
2025年3月，SK keyfoundry在董事会会议上宣布达成收购协议，以250亿韩元（约1.25亿元人民币）从SK集团手中收购其子公司SK Powertech98.59%的股权。据外媒报道，该收购案已于近期完成。
被收购方SK Powertech前身为YesPowerTechnics，2022年5月被SKInc.纳入SK集团旗下，其掌握SiC核心单元工艺等批量生产技术，能够实现SiC功率半导体的稳定量产与研发，产品广泛应用于新能源汽车、太阳能逆变器、家用电器、工业传动以及智能电网等场景。
通过收购，SK keyfoundry直接获得了SK Powertech的碳化硅工艺与设计技术，快速补齐技术短板。收购完成后，SK keyfoundry计划加速推进碳化硅（SiC）化合物功率半导体技术开发，目标在今年年底前推出碳化硅MOSFET 1200V工艺技术，并于明年上半年启动碳化硅功率半导体代工业务，逐渐将碳化硅功率半导体业务打造为新一代增长引擎。
政策+企业双轮驱动，韩国发力第三代半导体
韩国在第三代半导体领域起步早、布局完善，通过政府长期政策扶持与三星、SK等龙头企业的密集动作，已构建起涵盖碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等核心材料的产业体系，当前正处于技术突破与产能扩张的关键阶段。
早在2000年韩国就制订了氮化镓（GaN）开发计划，2004-2008年政府联合企业累计投入超12亿美元支持光电子产业，助力韩国成为亚洲最大光电子器件生产国；2024年宣布投资约5.22亿人民币在釜山建设8英寸SiC示范基地。
2025年又拿出364亿韩元支持下一代半导体相关研发项目。同时，韩国还设定了清晰目标，计划到2030年将SiC功率半导体技术自给率从当前的10%提升至20%，以此带动全产业链核心技术突破。
在企业方面，三星电子重启功率半导体事业部后，聚焦SiC/GaN材料研究，还通过投资IVworks等初创企业完善GaN产业链，其与美国康宁合资公司早在2011年就完成4英寸高品质GaN基板研发；
SK集团构建了“SK Siltron（SiC衬底）→SK Powertech（SiC器件）→SK Signet（电动汽车充电器）”的垂直产业链，旗下SK keyfoundry通过收购SK Powertech快速补齐SiC技术、短板。
LGInnotek成功开发6英寸单晶氮化镓Heating-FreeLED技术，大幅提升生产效率并降低成本。
（集邦化合物半导体 金水 整理）
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