近日，由杭州镓仁半导体有限公司牵头的《β相氧化镓同质外延片》（T/CEMIA 050-2025）与《氧化镓单晶位错密度测试方法》（T/CEMIA 051-2025）两项团体标准，经中国电子材料行业协会批准正式发布，将于2026 年1月1日起全面实施。
图片来源：中国电子材料行业协会公告截图
镓仁半导体牵头两项氧化镓团体标准正式发布！
《β相氧化镓同质外延片》（T/CEMIA 050-2025）的牵头单位为杭州镓仁半导体有限公司。
其它参编单位有中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学技术大学、中国电子科技集团公司第十三研究所、西安电子科技大学、南京大学、中山大学、甬江实验室、浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心、杭州富加镓业科技有限公司、进化半导体有限公司、深圳平湖实验室、华润微电子有限公司、NEXTGO EPI UG、电子科技大学、安徽大学、厦门大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、镓创未来半导体科技(晋江)有限公司、大连理工大学、中国科学院东莞材料科学与技术研究院、湖北九峰山实验室、杭州芯创德半导体有限公司、西南大学、香港科技大学。
《氧化镓单晶位错密度测试方法》（T/CEMIA 051-2025）的牵头单位为杭州镓仁半导体有限公司。
其它参编单位有中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学技术大学、中国电子科技集团公司第十三研究所、西安电子科技大学、南京大学、中山大学、甬江实验室、浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心、杭州富加镓业科技有限公司、进化半导体有限公司、深圳平湖实验室、华润微电子有限公司、NEXTGO EPI UG、电子科技大学、安徽大学、厦门大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、镓创未来半导体科技(晋江)有限公司、大连理工大学、中国科学院东莞材料科学与技术研究院、湖北九峰山实验室、杭州芯创德半导体有限公司、西南大学、香港科技大学。
这两项由中国电子材料行业协会发布的氧化镓领域团体标准，将为β相氧化镓同质外延片的质量管控与氧化镓单晶位错密度的统一测试提供依据。标准的落地将推动氧化镓从实验室走向规模化生产，为我国在超宽禁带半导体赛道建立技术与产业优势奠定基础，助力实现 “超宽禁带半导体之王” 的产业化价值释放，支撑国家新能源与高端制造战略。
镓仁半导体赋能氧化镓研究新突破
杭州#镓仁半导体 有限公司成立于2022年9月，位于浙江省杭州市萧山区，是一家专注于宽禁带半导体氧化镓单晶材料研发、生产和销售的科技型企业。公司核心产品包括：2-8英寸氧化镓单晶与衬底（其中8英寸为国际首发）、氧化镓垂直布里奇曼法（VB法）长晶设备、氧化镓外延片等，致力于构建 “设备-晶体-衬底-外延” 全链条产品体系，为全球客户提供系统性解决方案。
2025年3月，镓仁半导体发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶，并加工出8英寸衬底，刷新了氧化镓单晶尺寸的全球纪录。7月，镓仁半导体研发的8英寸氧化镓衬底通过了国内/国外知名机构的检测，并联合发布检测结果。
第三方检测结果表明，8英寸衬底XRD摇摆曲线半高宽<30 arcsec，达到国际领先水平。8英寸高质量氧化镓衬底的问世，标志着氧化镓产业化应用迈入全面加速落地阶段，是产业发展的重要里程碑。
2025年11月，镓仁半导体完成Pre-A+轮战略融资。根据企查查信息显示，本轮融资由余杭金控、九智资本、方广资本、深创投、华睿投资等共同投资。
2025年12月，镓仁半导体推出 “SCIENCE系列” 科研级VB法长晶设备，专为2-6英寸氧化镓科研场景量身打造，以全自主核心技术助力科研工作者在长晶、掺杂、缺陷控制及材料性能优化等领域高效探索。
（集邦化合物半导体 Flora 整理）
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