近日，日本厂商Novel Crystal Technology宣布，将于2026年3月开始向全球客户交付150毫米（6英寸）氧化镓（β-Ga₂O₃）单晶衬底样品。
此前，该领域的商业供应主要局限于100毫米（4英寸）及以下尺寸，而150毫米则是当前全球功率半导体主流生产线（如碳化硅产线）的标准物理规格。
NCT成功实现这一尺寸的跨越，意味着下游功率器件制造商无需进行大规模的设备更替，即可利用现有的6英寸晶圆加工配套设施进行氧化镓器件的规模化试制与量产准备。
氧化镓作为一种超宽禁带材料，其物理特性在电力电子领域极具竞争力。其禁带宽度约为4.5至4.9eV，远超硅（Si）和碳化硅（SiC），这赋予了材料极高的击穿电场强度和极低的能量损耗。在同等耐压水平下，氧化镓器件理论上能实现比碳化硅更小的芯片尺寸和更高的能量转换效率。
更重要的是，氧化镓支持从熔体中直接生长（Melt-growth method），相比于生长环境严苛且极其缓慢的碳化硅，其在大规模生产中的成本优势和产能扩张潜力被业界寄予厚望。
根据NCT公布的最新战略路线图，公司在开启150毫米衬底样品的交付后，计划于2027年推出配套的150毫米氧化镓外延片。
此外，为进一步优化成本结构，NCT正在研发更为先进的液滴馈入生长法工艺，旨在通过消除对昂贵铱金坩埚的依赖，在2029年实现150毫米晶圆的低成本全面量产。放眼未来，NCT设定了在2035年左右供应200毫米（8英寸）衬底的远景目标。
（集邦化合物半导体整理）
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