据韩媒《ETNEWS》近日报道，为改变本国功率半导体市场90%~95%依赖进口的现状，韩国政府计划投入5000亿韩元，全力支持化合物功率半导体产业的发展。
根据政府公布的路线图，韩国将在今年启动8英寸（200mm）化合物功率半导体晶圆厂的基础设施建设，目标是到2027年量产1200V SiC MOSFET等关键功率器件。至2030年，韩国希望将功率半导体领域的技术与产能自给率提升至当前水平的两倍。
报道指出，此次政府主导的发展战略预计还将撬动2500亿韩元的民间配套资金。该计划将由需求企业牵头，组建包含需求方、Fabless设计公司及晶圆代工厂在内的产业联盟，确保研发成果能够快速投入实际应用。
近年来，韩国功率半导体产业增长迅速，尤其在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等第三代半导体领域持续加大投入，力求实现技术自主并提升全球竞争力。
在企业布局方面，三星电子计划于2026年第三季度生产SiC功率半导体样品，主要面向车规级和工业级应用，未来还将拓展至沟槽型SiC MOSFET及功率模块等产品。此外，ChipScale等企业专注于GaN功率半导体的量产，现代汽车、起亚等车企则通过自研或与供应商合作，积极推动SiC技术在电动汽车中的应用。
（集邦化合物半导体整理）
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