8月19日晚间，源杰科技披露第三次临时股东大会会议材料，正式对外明确，公司计划投资建设源杰半导体科技产业园项目，项目总投资额约42.68亿元，同时提请股东大会审议，将全年综合授信额度上调至不超过60亿元，用来保障项目建设、产能扩张以及后续研发投入的资金需求。
产业园选址陕西省西咸新区沣西新城，用地面积约126亩，整体建设期24个月。园区内部规划高速磷化铟激光器芯片产线、激光器件封装车间以及配套测试设施，产品方向瞄准800G、1.6T数据中心光模块，同时覆盖车载激光雷达大功率激光芯片市场，建成之后将大幅拉升公司高端EML芯片的自产产能，缓解当前高速光芯片交付压力。
项目由源杰科技独立投资建设，资金采用自有资金叠加自筹的方式。从产能逻辑来看，当前AI算力建设持续提速，高速光芯片供需缺口已经传导到上游制造端，国内具备IDM全流程能力的磷化铟芯片厂商产能基本处于满载状态，头部光模块企业长期面临核心芯片供货紧张问题。源杰科技本次大手笔扩产，核心目标就是突破现有产线产能天花板，提升大批量交付高速激光器芯片的能力。
资金层面，公司同步提出60亿元授信申请。本次授信额度相比此前20亿元的规模大幅上调，授信资金可以覆盖固定资产贷款、流动资金周转等多类用途，为未来两年重资产扩产预留充足融资空间。公告也提示，项目仍然需要经过股东大会、地方相关审批流程，存在建设进度不及预期的风险。
作为国内磷化铟光芯片IDM厂商，源杰科技已经完成从外延片、晶圆加工、芯片制造到测试封装的全链条布局，DFB、EML系列芯片已经批量供给国内头部光模块厂商。上半年受益于AI数据中心需求爆发，公司业绩实现大幅增长，也为本次大额固定资产投资打下经营基础。
（集邦化合物半导体整理）
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