近日，常州银河世纪微电子股份有限公司与复旦大学联合举办SiC MOSFET新品发布会，正式推出三款1200V碳化硅功率器件。此次发布的产品基于双方近三年的产学研合作，围绕SiC器件封装设计、核心工艺、性能优化及可靠性验证等环节开展系统性研发，目前已有部分产品具备量产条件。
三款新品覆盖不同封装形式与性能定位
本次发布的1200V SiC MOSFET产品线共包含三个系列，均采用72A/32mΩ芯片平台，但基于不同封装形式适配多元化应用场景。
TO-247-3L系列采用三引脚封装，主打高功率、高可靠性应用，瞄准新能源汽车、大功率电源及工业功率电子等领域。团队在芯片互连结构、封装方案及生产工艺方面进行了优化，已完成结构建模、样品制备及全维度性能评价，性能指标对标行业主流产品。
TO-247-4L系列在相同规格基础上引入开尔文源极引脚，将驱动回路与功率回路隔离，可降低寄生电感干扰，适配SiC器件高频开关特性。据透露，该产品已通过第三方权威机构可靠性验证，具备商业化导入条件。
QFN 8×8系列则采用无压银烧结技术，针对小型化、高功率密度应用场景设计，突破传统封装体积限制，适用于轻量化高端功率设备。
从联合研发到产线落地，校企合作形成完整链条
据银河微电方面介绍，双方此次合作已形成从技术研发到产品落地的完整链条。TO-247系列车规级产品已完成调试通线，具备量产能力。双方在产品研发过程中同步输出学术论文、知识产权及行业标准等多项成果。
此外，双方围绕SiC器件技术已开展多场培训与交流，搭建了人才培养平台，旨在打通高校科研与企业工程实践之间的壁垒。
银河微电是国内少数具备IDM模式（设计与制造一体化）能力的半导体分立器件企业，产品涵盖功率器件芯片、MOSFET、IGBT、SiC器件、GaN器件等多个品类，应用覆盖汽车电子、工业控制、AI、能源动力等领域。该公司也是国内首家加入AEC国际汽车电子协会的半导体分立器件制造商。
双方表示，未来将围绕第三代半导体领域持续开展技术攻关与产业化协作，推动国产SiC产品在高端功率应用场景中加速落地。
（集邦化合物半导体整理）
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