8月14日，罗姆（ROHM）正式官宣，旗下子公司蓝碧石半导体（LAPIS Semiconductor）负责运营的宫崎第二工厂二期扩建工程已经启动施工，项目将重点扩充8英寸碳化硅功率器件制造产能，整体产线规划2028年实现全面投产。
宫崎第二工厂坐落于日本宫崎县国富町，厂区前身是Solar Frontier的国富工厂，罗姆2023年完成资产收购之后，改造为集团内部核心的8英寸SiC自研自产基地，一期已经完成8英寸晶圆试产工作。
本次二期项目追加晶圆加工、器件制造洁净厂房，建成之后，工厂将新增每年72万片8英寸晶圆加工产能，产品全部定向供应车规级碳化硅MOSFET、功率模块，覆盖新能源车主逆变器、车载充电机、储能逆变器等应用场景。
作为全球碳化硅功率器件老牌厂商，罗姆从衬底材料、外延、芯片制造再到器件封装，已经搭建起完整的SiC产业链。旗下德国子公司SiCrystal负责SiC衬底供给，宫崎基地承担8英寸晶圆制造任务，逐步降低对外代工的依赖度。现阶段第五代SiC‑MOSFET是罗姆主力产品，主打更低导通损耗，适配高压车载平台，也是本次扩产优先保障的产品。
从产能布局逻辑来看，罗姆过去主要依靠6英寸产线出货碳化硅器件，随着下游新能源车、储能长期需求增长，8英寸升级已经成为降本必经之路。单片8英寸晶圆产出芯片数量远高于6英寸，可以摊薄单颗器件制造成本，缓解车规SiC长期供给紧张的局面。
项目建设周期较长，二期工程不会快速释放产能，投产节点锁定2028年。罗姆也在同步推进筑后工厂的产线升级，多条8英寸产线分阶段落地，匹配中长期客户订单储备。
除了自建厂房之外，该项目拿到日本功率半导体产业扶持补贴，政府承担三分之一左右的建设投资，也是日本本土强化宽禁带半导体供应链的标志性项目之一。
（集邦化合物半导体整理）
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