亚太电力电子产业风向标PCIM Asia 2026深圳展火热开展。伴随AI算力产业高速扩容，数据中心800V高压直流架构加速普及，高频、高效、高密度功率电源成为行业刚需，高压氮化镓正式进入规模化替代窗口期。
图片来源：英诺赛科
本次展会上，英诺赛科展出覆盖高低压、单向/双向、分立/合封的全自研氮化镓产品矩阵，全面适配算力、汽车、工业、消费电子主流应用。本次参展核心聚焦AI数据中心增量市场，重磅推出可量产12kW HVDC高压直流解决方案，精准匹配新一代算力基础设施升级需求。
图片来源：英诺赛科
针对AI服务器单机柜功率持续攀升、机房降PUE压力增大的行业痛点，英诺赛科12kW HVDC高压直流电源方案基于800V高压平台开发，具备超高转换效率、高频工作能力与水冷适配特性，可有效提升算力电源功率密度、降低整机能耗，是当前800V HVDC架构下极具落地价值的标杆方案。搭配全系前端PFC、后端板载Buck配套方案，可实现数据中心全链路氮化镓升级，助力绿色数据中心建设提速。
图片来源：英诺赛科
在车载、机器人、家电等成熟赛道，英诺赛科同步展示轻量化、高性价比标杆方案，依托VGaN双向器件、低压高频GaN技术，实现设备节能降本与小型化升级，完善多赛道产业布局。
技术层面，英诺赛科在同期行业论坛发表主题分享，明确MHz高频化是下一代AI电源核心发展趋势，结合高压氮化镓、合封器件量产经验，为产业技术迭代与规模化落地提供重要参考。
当前展会仍在火热进行中，产业对接、技术交流氛围浓厚。欢迎行业客户与合作伙伴前往深圳国际会展中心16号馆16E32展位，近距离了解英诺赛科AI算力核心方案及全场景氮化镓技术成果，共探宽禁带产业未来增量机遇。
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。