6月2日，中铝乾星（成都）科技有限责任公司“2026年新建大尺寸先进化合物半导体衬底及高纯材料中试平台项目”环境影响评价征求意见稿正式公示，此前该项目已于4月23日完成环评第一次公示，目前正处于公众意见征集阶段。
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根据公示文件，该项目选址位于成都市彭州市成都新材料产业化工园区，总投资3500万元，规划建设大尺寸先进化合物半导体衬底及高纯材料制备中试平台。项目核心研发内容为6英寸级别锑化镓、磷化铟、氧化镓衬底材料，以及高纯硒、碲、镉金属材料的中试研发，明确不涉及碳化硅、氮化镓两种化合物半导体相关产能。
磷化铟（Indium Phosphide，化学式 InP）是由铟（In）与磷（P）构成的 Ⅲ-Ⅴ 族化合物半导体，属于第二代半导体材料，常温下呈银灰色固体。
作为光通信领域不可替代的战略材料，磷化铟是 800G/1.6T/3.2T 高速光模块中 EML（电吸收调制激光器）、DFB（分布式反馈激光器）芯片的核心衬底，广泛应用于AI数据中心光互联、长距离光纤通信、自动驾驶 1550nm 激光雷达及低轨卫星通信等领域。当前，6英寸磷化铟衬底已成为行业主流，大尺寸、低缺陷、高均匀性是产业发展核心方向。
建设规划显示，该项目计划于2026年12月建成并投入运行，建成后将形成化合物半导体衬底与高纯金属材料的中试研发能力，填补区域相关领域中试环节空白。
公开资料显示，中铝乾星为中铝集团旗下专注稀有/稀散金属（镓、锗、铟、硒、碲等）的高端材料平台，2026年2月，中铝乾星已与成都市、中铝科学院签署战略合作协议，围绕稀有金属材料产业高质量发展，在蓉布局“两基地一中心”，推进有色金属产业链项目合作。
（集邦化合物半导体整理）
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