韩国DB HiTek（东部高科）公司近期宣布，其基于8英寸晶圆的1200V SiC MOSFET可靠性验证已经完成，相关代工平台已具备从设计导入到量产衔接的条件，并将量产目标放在2027年。
与硅功率器件相比，SiC MOSFET更适合高温、高压场景，因而在电动汽车、光伏与风电、储能及工业电力电子等市场受到关注。当前SiC器件制造仍以6英寸晶圆为主，但向8英寸迁移已成为行业降本的重要路径：同一片晶圆可切割出更多芯片，单位成本有望下降。
据公司介绍，其已经搭建起完整的1200V 8英寸SiC晶圆代工流程，并形成覆盖设计支持、制造、电性参数分析以及可靠性验证的一站式服务体系。公司称，这一整合式平台在全球范围内尚属首例。借助该平台，客户可以更快把设计推向样品和量产阶段。
在客户导入方面，DB HiTek计划分两步走。第一步是在今年第三季度完成流程准备，并优先向长期合作客户开放服务；第二步是从2027年第二季度起，将服务范围扩展至所有客户，同时推动大批量生产。公司还计划通过强化产品开发支持来吸引新客户。
为降低设计门槛，DB HiTek向客户提供1200V SiC MOSFET工艺设计套件（PDK）。PDK可理解为把晶圆厂工艺能力“打包”给芯片设计者的工具，帮助其在设计阶段就匹配制造条件。目前，公司已提供第一代和第二代PDK，第三代预计在今年11月发布。公司表示，采用这些PDK可减少前期开发投入，加快原型流片，并让整体产品开发周期最多缩短一年以上。
（集邦化合物半导体整理）
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