10月27日英飞凌宣布将在欧洲打造全球首个基于300毫米晶圆的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地。项目选址奥地利菲拉赫工厂，计划到2034年累计投入约11亿欧元，改造升级厂区现有洁净室设施，新产线规划于2027年底投产。
欧盟委员会已批准为该项目提供3.19亿欧元国家补助，补助依据《欧洲芯片法案》框架发放，奥地利经济主管部门后续将完成资金落地流程。菲拉赫基地本身是英飞凌功率半导体研发制造核心据点，现有4800名在岗员工，此前已经具备200毫米氮化镓产线能力，本次项目是在现有产线基础上升级扩容，转向更大尺寸晶圆工艺。
300毫米晶圆的芯片产出数量约为200毫米晶圆的2.3倍，更大尺寸晶圆能够摊薄单片制造成本，提升氮化镓器件的量产经济性。这批氮化镓功率器件主要面向AI数据中心供电、新能源汽车、工业自动化、机器人等场景。氮化镓功率器件具备更高开关频率、更低导通损耗，适合高功率密度的电源转换系统，匹配AI服务器高压供电架构的需求。
按照英飞凌披露信息，菲拉赫项目将聚焦新一代氮化镓功率器件的大规模制造，支撑欧洲本土功率半导体供应链建设。英飞凌表示，氮化镓是功率电子赛道的核心技术路线之一，更大尺寸产线落地，有助于推动氮化镓器件在算力、车载等领域进一步普及。
（集邦化合物半导体整理）
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