11月2日，上海新微半导体对外发布第二代700V增强型氮化镓（E-mode GaN）功率工艺平台，完成其高压氮化镓代工工艺的迭代升级。该平台针对导通电阻、高频开关性能做了优化，在功率密度、量产一致性上形成改善，面向快充、AI服务器电源、新能源汽车、工业电源、DC-DC转换器等场景，向功率芯片设计企业提供晶圆代工工艺方案。
氮化镓属于宽禁带半导体材料，相比传统硅基功率器件，在高频、高压转换场景具备天然特性优势。700V这一档电压平台，处在650V主流消费氮化镓和更高电压碳化硅器件之间，是衔接消费电子与工业、算力电源的重要区间。
行业内，氮化镓最早依托手机、笔记本快充市场实现商业化落地，而近两年市场重心逐步转移，AI服务器电源、车载OBC、工业电源等高价值场景成为产业链主要攻坚方向，算力集群对电源转换效率、功率密度的需求，持续拉动700V等级氮化镓工艺的开发与验证。
国内已有多家企业推进700V氮化镓路线。#英诺赛科 于2025年8月正式推出第三代700V增强型氮化镓器件系列，面向快充、工业、数据中心电源市场供货；#华灿光电 在2026年半年报及投资者互动平台披露，其700V第二代氮化镓产品完成1000小时可靠性验证，已经实现客户订单交付；#能华半导体 完成车规级700V氮化镓器件开发，样品通过AEC-Q101初步可靠性验证，面向工业电源、车载方向开展客户联合验证。
从产业节奏来看，当前氮化镓在AI服务器电源领域尚处于客户验证、小批量导入阶段，距离大规模替代硅基器件还有一段周期。算力电源对器件长期稳定性、批量一致性要求远高于消费快充，车规级场景还需要更长周期的可靠性认证。这类高压氮化镓工艺平台的推出，主要是为下游芯片厂商提供可复用的制造方案，缩短客户产品开发周期。
（集邦化合物半导体整理）
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