随着2026年被视为碳化硅（SiC）功率器件的应用元年，产业链的竞争焦点正逐渐从芯片设计向制造工艺的深水区转移。
“川观新闻”消息，10月29日，森智佳（四川）集成电路有限公司位于内江高新区的碳化硅晶圆测试、减薄、划片产线正式“通线”。该产线的落地，补上了当地半导体产业链中此前较为薄弱的“测试—减薄—划片”中道支撑环节。
在碳化硅器件的制造流程中，中道工序的质量直接决定了芯片的最终良率与应用可靠性。森国科董事长杨承晋指出，在应用元年，真正的产能瓶颈往往不在于设计端，而在于后道工序的工艺能力能否跟上。
此次通线的产线在核心工艺指标上展现了较强的竞争力。据现场技术人员介绍，该产线可将碳化硅晶圆最薄加工至100微米，划片精度达到10微米。对比行业公开数据，此前国产装备在8英寸碳化硅减薄量产水平上普遍为120微米。更薄的晶圆厚度有助于大幅降低碳化硅器件的导通电阻和热阻，对于提升器件性能具有重要意义。
对于晶圆加工而言，“通线”的意义远重于单纯的设备进场。它意味着整条产线从投料到成品的前后工序（涵盖光刻、刻蚀、沉积、测试等）已实现完美配合，且良品率与可靠性已具备量产基础，是迈向规模化交付的关键节点。
从项目推进节奏来看，森智佳展现了极高的工程效率。该项目于去年11月签约落地，今年5月底启动厂房装修，9月中旬首批设备搬入，9月底即进入试运行，仅用四个月便完成了从装修到试运行的全过程。得益于工艺窗口的提前预设与产线的高效协同，企业已在5月厂房装修期间提前锁定客户订单，并按客户要求于9月完成交货。
据悉，该项目达产后，将形成年加工碳化硅及集成电路晶圆10万片的生产能力，为快速增长的碳化硅功率器件市场提供中道工艺支撑。
（集邦化合物半导体整理）
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