11月10日，英飞凌科技股份公司公布2026财年第四季度及全年财报（数据截至2026年9月30日），并同步宣布在300mm碳化硅晶圆制造上取得全球性突破。财务基本面的稳健与技术工艺的领先，共同勾勒出这家功率半导体龙头在周期复苏与结构性增长交汇期的位置。
2026财年第四季度，英飞凌实现营收47.06亿欧元，利润11.19亿欧元，利润率23.8%，以创纪录的季度业绩收官。全年维度，公司营收达163.53亿欧元，同比增长12%；利润32.23亿欧元，利润率19.7%；调整后每股收益1.73欧元，自由现金流9.93亿欧元，调整后自由现金流19.25亿欧元。
图片来源：英飞凌官微
面向2027财年，英飞凌给出了较为明确的增长指引。基于欧元/美元汇率1.15的假设，公司预计第一季度营收约46亿欧元，利润率约23%；全年营收约200亿欧元，其中数据中心电源业务营收预计接近40亿欧元。调整后毛利率预计在44%至49%之间，利润率预计在24%至26%之间，较2026财年19.7%的水平提升约5个百分点。资本开支方面，公司计划投资30亿至35亿欧元；调整后自由现金流预计约22亿欧元。此外，管理委员会拟在2027年2月年度股东大会上提议将每股股息上调0.03欧元至0.38欧元。
财报之外，英飞凌在碳化硅领域的技术进展构成了另一条主线。公司宣布，已在奥地利菲拉赫工厂成功将300mm碳化硅晶圆加工为功能性功率器件，成为全球首家在大规模半导体晶圆厂环境中完成这一工艺的企业。该成果依托现有硅基制造设备实现，意味着大尺寸碳化硅的工艺路径与成熟硅产线之间具备可复用性，为后续规模化导入降低了设备门槛。
从制造效率来看，300mm晶圆相较当前主流的200mm晶圆，单片可产出的芯片数量约为其2.3倍。晶圆直径扩大带来的产出增益，是摊薄碳化硅器件单位成本的关键变量。英飞凌表示，将联合客户与合作伙伴共同规划300mm SiC的技术路线与产能爬坡节奏，同时继续推进现有200mm SiC制造路线图。
在器件工艺突破的同时，英飞凌还在德国德累斯顿工厂验证了冷切割（Cold Split）技术在300mm碳化硅晶圆上的可行性。与传统线锯切割相比，冷切割从晶锭分离晶圆时材料损耗更低、加工时间更短，同一晶锭可获取更多合格晶圆，从而以更低的资本投入支撑产能扩张。器件制造与分片工艺两项进展的组合，使英飞凌能够根据市场需求变化灵活调节碳化硅产能。
英飞凌当前的产品组合覆盖硅、碳化硅与氮化镓三类半导体材料。2026年10月27日，公司宣布投资约11亿欧元，在菲拉赫建设采用300mm晶圆技术的氮化镓功率半导体量产基地。此次碳化硅300mm工艺的突破，将大尺寸平台化制造的思路延伸至第二种宽禁带材料。英飞凌CEO约亨·汉贝克表示，继硅和氮化镓之后掌握碳化硅300mm晶圆工艺，使公司具备扩大半导体制造规模、实现盈利增长的条件。
（集邦化合物半导体整理）
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