9月30日，瑞萨电子正式对外发布TP65H020G4PLSGBD，为业界首款采用8mm×8mm双面散热（DSC）PQFN封装的650V D-Mode氮化镓功率器件。该器件导通电阻20mΩ，最高耐压700V，面向AI数据中心800V高压直流架构，目前已向AI数据中心OEM、ODM客户送样，计划2027年年中实现量产。
根据瑞萨电子官方新闻稿，这款氮化镓器件采用双面散热封装设计，可同时通过芯片顶部与底部向外传导热量。对比公司原有TOLT封装产品，新器件在电路板上占用面积缩减57%，同时顶部热阻下降10%，用于缓解兆瓦级AI服务器机架的功率密度提升带来的散热压力。产品目标应用场景包含中间总线转换器、电池备份单元，可完成800V电压向48V、12V、6V等低压轨的转换。
TP65H020G4PLSGBD基于瑞萨第四代升级版氮化镓架构开发，属于 depletion-mode（D-Mode）器件。官方资料显示，该器件封装尺寸为8mm×8mm，在该尺寸规格下实现20mΩ导通电阻，属于650V同规格产品中的较低水平。产品采用行业标准PQFN封装，瑞萨同步配套控制器、驱动芯片及MCU产品，为800V高压直流电源方案提供元器件配套。
瑞萨电子主营微控制器、模拟芯片、功率半导体等半导体解决方案，氮化镓功率器件是其功率半导体业务板块重要产品线，产品覆盖AI算力基础设施、工业电源、储能等场景。本次发布的新品将在10月12日至15日于美国圣何塞举办的OCP全球峰会进行展出。
公告内容提示，该器件当前处于客户送样阶段，距离量产还有一段时间。客户认证、产线调试、供应链备货等环节均存在不确定性，产品商业化落地进度取决于下游AI服务器厂商的测试结果与项目规划。
AI数据中心机架功率持续提升，800V高压直流供电架构逐步在算力机房落地，对小型化、高散热能力的功率器件需求增加。本次发布的氮化镓器件，用于高压直流链路的电能转换环节。
（集邦化合物半导体整理）
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