7月23日，浙江晶越半导体有限公司宣布已成功研制出高品质12英寸SiC晶锭，这标志晶越成功进入12英寸SiC衬底梯队。
图片来源：浙江晶越半导体有限公司
2025年上半年，晶越半导体已经成功量产8英寸碳化硅衬底，后续持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不断调整和优化工艺，成功攻克12英寸衬底。
公开资料显示，晶越半导体成立于2020年，总部位于浙江省嵊州市，聚焦8-12英寸导电型碳化硅衬底及其外延材料的研发、生产与销售，产品广泛应用于新能源车辆、充电桩、高速铁路、通信基站等领域。2021年，晶越半导体完成A轮融资，随后2022年又完成了一轮融资。
同日，山西天成半导体材料有限公司也宣布成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅单晶材料。
图片来源：天成半导体
据了解，天成半导体先后攻克了大尺寸扩径工艺和低缺陷N型单晶材料的生长工艺，此次12英寸N型碳化硅单晶材料的成功研发是天成半导体在大尺寸碳化硅单晶材料领域的重要里程碑事件。
天成半导体成立于2021年，是一家专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底材料研发、生产及晶体生长装备制造的高新技术企业。2022年实现了6英寸导电型和半绝缘型碳化硅晶锭的小批量生产，2024年公司实现了8英寸SiC单晶技术研发突破，2025年月，其自主研发12英寸碳化硅长晶炉已进入炉体组装和工艺调试阶段，计划于2025年第三季度投放市场。
12英寸SiC衬底主要玩家
研制12英寸碳化硅（SiC）衬底是第三代半导体产业发展的必然趋势，大尺寸衬底的核心优势在于提升单位面积芯片产出效率。并且全球半导体制造业已形成以12英寸硅基晶圆为主的成熟产线，而碳化硅衬底的尺寸升级需与现有产业体系兼容。
大尺寸SiC衬底的研制过程本身就是对材料质量的极致考验。当前我国在12英寸SiC衬底领域已形成技术突破的核心企业主要包括天岳先进、天科合达、晶越半导体、浙江晶瑞、晶驰光电、南砂晶圆、烁科晶体，而三安光电此前披露12英寸SiC衬底正在开发中。
天岳先进作为全球碳化硅衬底技术革新者，已实现12英寸全系列衬底（N型、P型、半绝缘型）的研发与量产布局。其12英寸高纯半绝缘衬底凭借光学性能优势，已成为AR眼镜光波导镜片的核心材料。
天科合达推出12英寸热沉级衬底，并计划于2025年下半年推出12英寸光学级衬底，2026年实现8英寸光学级衬底的小规模量产，主要面向AR眼镜、先进封装等新兴市场。其12英寸产品通过软件仿真与硬件革新双重赋能，成功实现大尺寸晶体生长，并开发出适配8-12英寸晶体的单晶生长炉。
浙江晶瑞2025年5月实现12英寸导电型SiC单晶生长技术突破，晶体直径达309mm，其8英寸碳化硅衬底已实现规模化量产，12英寸产品的研发为我国SiC产业链自主化提供了技术支撑。
晶驰光电展示了12英寸导电型SiC晶锭，并规划了总计70万片的产能布局（含保定、涞源、保定新材料工厂）。公司通过多工厂协同生产，逐步提升大尺寸衬底的规模化供应能力。
南砂晶圆2025年正式展示12英寸导电型SiC衬底，拥有广州、中山、济南三大生产基地，形成完整的碳化硅单晶生长和衬底制备生产线。其产品覆盖6英寸、8英寸及12英寸，技术路线成熟。
烁科晶体作为中电科旗下企业，展示了12英寸N型导电型衬底，依托集团资源在半导体材料领域具备较强的研发与量产能力。其技术路线聚焦于功率器件应用，为国内产业链提供关键材料支持。
我国12英寸SiC衬底梯队正在逐步扩大，随着AR眼镜、先进封装等新兴市场的崛起，12英寸衬底的应用场景将进一步拓展，推动我国SiC产业链向高端化、规模化发展。
（集邦化合物半导体 金水 整理）
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