9月，碳化硅（SiC）领域新品动态频繁，英飞凌、罗姆半导体、方正微电子、茂睿芯、Wolfspeed等企业纷纷发力，陆续推出多款产品，覆盖功率器件、模块、材料等关键环节，应用场景涵盖光伏、储能、新能源汽车、工业设备等领域。
1、茂睿芯
9月22日，茂睿芯官微宣布，正式推出国内首款直驱SiC MOSFET flyback AC/DC产品MK2606S。
图片来源：Meraki Integrated茂睿芯
据介绍，该产品支持16~30V宽VCC供电驱动电压16V，可以直驱SiC MOSFET支持135kHz开关频率专有的软起机方案，在开机时可以降低次级同步整流尖峰抖频功能，优化系统EMI恒功率、Line OVP功能可开放SOT23-6封装。
茂睿芯表示，MK2606S是国内首发，小6pin直驱SiC，30V高频QR反激控制器，应用场景包括AC/DC适配器、工业辅源、储能系统辅助电源组串逆变器辅源、汽车直流充电桩辅源等。
2、罗姆半导体
9月22日，罗姆半导体在官网宣布，其开发了二合一SiC模压模块——DOT-247。
图片来源：罗姆半导体集团
据了解，该产品非常适合光伏逆变器、UPS和半导体继电器等工业设备的应用场景。新模块保留了功率元器件中广泛使用的“TO-247”的通用性，同时还能实现更高的设计灵活性和功率密度。
具体来看，DOT-247采用将两个TO-247封装相连的造型，通过配备在TO-247结构上难以容纳的大型芯片，并采用ROHM自有的内部结构，实现了更低导通电阻。另外，通过优化封装结构，其热阻比TO-247降低了约15%，电感降低了约50%。由此，在半桥*1结构中，可实现使用TO-247时2.3倍的功率密度，并能以约一半的体积实现等效的功率转换电路。
值得关注的是，新产品已于2025年9月开始暂以月产1万个的规模投入量产（样品价格：20,000日元/个，不含税）。另外，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品，也计划于2025年10月开始提供样品。
3、方正微电子
9月15日，据#方正微电子 官微介绍，其高性能SIC MOS功率模块—TPAK模块FA120T003BA（1200V 3.1mΩ），专为新能源汽车主驱电机控制器、EVTOL电机控制器、电动船、超级充电站等高端应用需求而设计，旨在提供极致效率、极致功率密度和极致可靠性的解决方案。
图片来源：方正微电子
具体来看，TPAK模块FMIC采用了最新一代的自研SICMOS芯片，实现了单模块内阻Rdson＜3mΩ，该型号模块的电流密度增加了＞50%，其功率容量、性能得到了显著提升；单模组峰值输出功率＞100kW，极大提高系统功率密度。
此外，芯片关键可靠性项目可轻松通过3000h认证，模块满足AQG-324可靠性标准，封装通过凹槽设计，实现高爬电距离，提高高电压平台应用的可靠性，可提供1200V多款低Rdson＜10mΩ产品。
4、Wolfspeed
9月11日，Wolfspeed宣布其200mm碳化硅材料产品开启大规模商用，同时同步推出可供即时认证的200mm碳化硅外延片，结合其200 mm裸晶圆，能够实现突破性的规模化量产与更为优异的品质，助力下一代高性能功率器件的开发。
Wolfspeed表示，Wolfspeed 200mm碳化硅裸晶圆在350µm厚度下实现了更为优异的参数规格，而200mm外延片则具备行业领先且进一步改善的掺杂和厚度均匀性。这些特性使得器件制造商能够提高MOSFET良率、缩短产品推向市场的时间，并为汽车、可再生能源、工业及其他高增长应用领域提供更具竞争力的解决方案。
5、英飞凌
9月8日，英飞凌官微推出新品——CoolSiC™ MOSFET 1200V分立器件TO247-4引脚IMZA封装。
图片来源：英飞凌工业半导体
根据英飞凌介绍，第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V/53mΩ，TO247-4引脚IMZA封装，确保安装兼容性并可轻松替换现有系统设计，为更经济高效、紧凑、易设计且可靠的系统提供领先的解决方案。该器件在硬开关操作和软开关拓扑中均能表现出更优异的性能，适用于所有常见的AC-DC、DC-DC和DC-AC组合拓扑。
新品具有开关损耗降低25%，总功率损耗减少10%，MOSFET温度降低11%，抗米勒效应可靠性，并联表现更优等多种竞争优势，可广泛应用于光伏、储能、不间断电源UPS、电动汽车充电、驱动等领域。
（集邦化合物半导体 金水 整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。