近日，由#江苏第三代半导体研究院有限公司、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）联合承担的江苏省集萃研究员项目——“六英寸碳化硅晶锭激光隐形切割技术研发”取得重大技术突破，相关成果已由项目承担单位官方披露，核心技术指标达到行业先进水平，为我国碳化硅产业自主化发展提供重要支撑。
图片来源：江苏第三代半导体研究院
据悉，江苏省集萃研究员计划是江苏省产业技术研究院启动实施的重点人才与技术研发项目，旨在集聚优质创新资源，攻克产业关键核心技术，截至目前已启动超100项高水平技术研发项目，成为推动产业技术升级的重要力量。本次取得突破的项目正是该计划扶持的重点项目之一。
作为第三代半导体核心材料，碳化硅（SiC）硬度高、脆性大，其晶锭切割一直是产业发展的关键瓶颈，传统切割工艺存在效率低、损耗高、良率不足等问题，严重制约碳化硅衬底及后续器件的产业化进程。此次突破的激光隐形切割技术，在核心性能上实现全方位提升。
据项目承担单位官方披露，该技术在碳化硅晶锭切割效率、良率、损伤控制及减薄精度等方面实现多项关键突破，有效解决了传统工艺的痛点。其切割效率较传统线切割工艺大幅提升，单片切割耗时显著缩短，同时晶锭损耗率大幅降低，切割良率稳步提升，远超行业平均水平。
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）作为项目核心承担单位之一，长期聚焦第三代半导体产业关键共性技术攻关，搭建了产学研协同、开放共享的创新平台，目前已集聚多种创新要素，服务企业和科研机构超500家，攻克多项“卡脖子”技术。江苏第三代半导体研究院有限公司则依托自身研发优势，与该中心形成协同创新合力，加速技术研发与成果转化。
此次技术突破，不仅填补了国内六英寸碳化硅晶锭激光隐形切割领域的技术空白，打破了国外技术垄断，还将大幅降低碳化硅衬底生产成本，提升我国碳化硅产业的核心竞争力，为新能源汽车、智能电网、5G通信等领域的半导体器件国产化提供重要技术保障，助力我国第三代半导体产业高质量发展。
（集邦化合物半导体整理）
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