Author Archives: huang, Mia

世界先进董事长:碳化硅芯片代工没有降价

作者 |发布日期 2024 年 11 月 05 日 15:39 | 分类 企业
世界先进董座方略宣布,未来公司在化合物半导体端不会缺席,旗下氮化镓(GaN)今年实现量产,而随着碳化硅(SiC)衬底价格下降,应用会更广。 方略提到,世界先进的氮化镓业务已经运作了7~8年,今年实现量产。在碳化硅方面,随着衬底价格往下降,其应用范围有望进一步扩大。 值得一提的是,...  [详内文]

价值超30亿,美国厂商Pallidus终止碳化硅项目

作者 |发布日期 2024 年 11 月 01 日 17:10 | 分类 企业
10月30日,据美国先驱报报道,纽约碳化硅材料厂商Pallidus终止了搬迁及新建工厂计划。 据此前报道,2023年2月,Pallidus与约克郡达成协议,以经济激励为交换条件搬迁至Rock Hill,工厂占地达30 万平方英尺。 该公司此前计划投资4.43亿美元(折合人民币约3...  [详内文]

长飞先进武汉碳化硅基地将提前2个月量产通线

作者 |发布日期 2024 年 10 月 31 日 17:14 | 分类 功率
10月30日,长飞先进武汉基地相关负责人对外介绍,长飞先进武汉碳化硅基地11月设备即将进驻厂房,明年年初开始调试,预计2025年5月可以量产通线,随后将开启良率提升和产能爬坡。 source:光谷融媒体中心 据悉,长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产,项目总...  [详内文]

加速氧化镓产业化,国内2家企业发力

作者 |发布日期 2024 年 10 月 31 日 17:11 | 分类 企业
氧化镓作为一种新兴的半导体材料,受益于其优良的物理特性,成为了以碳化硅为代表的第三代半导体的潜在竞争者。目前,国内外企业正在加速推进氧化镓的产业化。近期,镓仁半导体和富加镓业分别在氧化镓材料和功率器件领域有了新突破。 镓仁半导体采用铸造法生长6英寸氧化镓单晶 据镓仁半导体官微消息...  [详内文]

产能增加400%,德州仪器新氮化镓工厂投产

作者 |发布日期 2024 年 10 月 25 日 16:42 | 分类 企业
10月24日,德州仪器(TI)宣布,其位于日本会津的工厂已开始生产基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体。 随着会津工厂的投产,加上德州达拉斯现有的氮化镓生产基地,德州仪器内部氮化镓功率半导体的产能将增加四倍。 source:德州仪器 德州仪器技术和制造高级副总裁Mohammad...  [详内文]

年产5000万颗,纵慧芯光化合物半导体芯片项目封顶

作者 |发布日期 2024 年 10 月 25 日 16:37 | 分类 企业
10月23日,常州纵慧芯光半导体科技有限公司(下文简称“纵慧芯光”)正式宣布,公司旗下“3英寸化合物半导体芯片制造项目”已完成封顶。 据此前中电三公司与武进日报披露,该项目总投资5.5亿元,规划用地40亩,预计明年1月投产,达产后将形成年产3英寸砷化镓芯片和3英寸磷化铟芯片合计约...  [详内文]

长光华芯氮化镓子公司再获融资

作者 |发布日期 2024 年 10 月 25 日 16:06 | 分类 企业
昨(24)日,镓锐芯光宣布完成数千万元天使轮融资,本轮融资由产业资本领投,华泰紫金旗下苏州华泰华芯太湖光子产业投资基金合伙企业(有限合伙)(以下简称“光子基金”)跟投。 资料显示,镓锐芯光成立于2023年5月,是一家氮化镓基激光芯片的IDM企业。公司主营产品包括GaN基激光芯片和...  [详内文]

台湾地区新增一座碳化硅衬底厂

作者 |发布日期 2024 年 10 月 25 日 16:01 | 分类 功率
据台媒消息,10月22日,台湾碳化硅长晶厂商格棋化合物半导体公司(下文简称“格棋”)举行了中坜新厂落成典礼。 source:格棋 据介绍,格棋中坜新厂总投资金额达6亿元新台币(折合人民币约1.33亿元),预计2024年第四季达到满产。其中6英寸碳化硅晶片月产能可达5,000片,...  [详内文]

扬杰科技、德州仪器公布2024Q3财报

作者 |发布日期 2024 年 10 月 23 日 17:50 | 分类 企业
10月22日,扬杰科技、德州仪器披露了公司Q3季度业绩营收。其中,扬杰科技实现了营收净利双增长,而德州仪器的表现也超过外界预期。 扬杰科技:营收达15.58亿 扬杰科技表示,报告期内,随着半导体市场需求逐步改善,公司营收规模进一步扩大,截至报告期末累计达到44.23亿元,较去年同...  [详内文]

山东2个氮化镓衬底项目有新进展

作者 |发布日期 2024 年 10 月 22 日 17:50 | 分类 功率
在当今快速发展的科技时代,半导体材料的创新和应用正成为推动全球电子产业发展的关键力量。在第三代半导体材料领域,氮化镓(GaN)因其卓越的电子特性和广泛的应用前景,正受到业界的关注。近期,山东省的济南和临沂两地,在氮化镓衬底方面取得了新进展。 济南:新增一个氮化镓项目 据济南日报消...  [详内文]