Author Archives: huang, Mia

X-fab推出新一代碳化硅MOS工艺平台

作者 |发布日期 2024 年 12 月 18 日 16:47 | 分类 功率
12月17日,碳化硅(SiC)晶圆代工厂商X-fab推出了新一代XbloX平台XSICM03。该平台可推进SiC工艺技术在功率MOSFET的应用,并显著降低单元间距,从而在不影响可靠性的前提下增加了每片晶圆芯片数量并改善导通电阻。 source:X-fab X-fab介绍,Xb...  [详内文]

英诺赛科开启全球招股

作者 |发布日期 2024 年 12 月 18 日 16:46 | 分类 企业
12月18日,英诺赛科发布公告,公司拟全球发售4536.4万股H股,发售价将为每股发售股份30.86-33.66港元,最高募资约15.26亿港币(折合人民币约14.31亿元)。 2024年12月18日至12月23日招股,预期定价日为12月24日,预期股份将于12月30日开始在联交...  [详内文]

苏州芯辰化合物半导体外延片量产

作者 |发布日期 2024 年 12 月 16 日 16:32 | 分类 企业
据“势能资本”官微消息,芯辰半导体(苏州)有限公司(下文简称“芯辰半导体”)外延设备已于近日投产,覆盖砷化镓(GaAs)及磷化铟(InP)光芯片四元化合物全材料体系。 据介绍,芯辰半导体目前已实现波长范围760nm~1700nm外延片的量产,外延均匀性为激射中心波长外2nm之内。...  [详内文]

16.8亿,福建晶旭半导体氧化镓芯片项目即将投产

作者 |发布日期 2024 年 12 月 13 日 19:59 | 分类 功率
12月9日,龙岩市融媒体中心发布消息称,福建晶旭半导体科技有限公司(以下简称:晶旭半导体)二期——基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目,已完成主体厂房建设,正在进行内外墙的装修,预计年后进入机电暖通、安装工程及精装修工程。 据悉,该项目总投资16.8亿元,建设136亩...  [详内文]

2.3亿,合肥碳化硅设备项目开业运营

作者 |发布日期 2024 年 12 月 13 日 19:57 | 分类 企业
据“合肥新站区”官微消息,12月12日,合肥赛美泰克科技有限公司在新站高新区开业运营。 据悉,该项目总投资约2.3亿元,采用租赁芯屏高科技产业园厂房形式,用于建设IGBT及碳化硅(SiC)产线核心设备项目,生产智能测试分选机设备、甲酸真空焊接炉、SiC芯片测试分选机及晶圆老化测试...  [详内文]

为对抗英飞凌,三菱电机拟在日本组功率半导体联盟

作者 |发布日期 2024 年 12 月 13 日 19:54 | 分类 企业
日本三菱电机执行长漆间启对彭博社表示,三菱电机正在与日本国内的同业对手洽商共组功率半导体联盟,促进在这个驱动全球各种电子装置的关键半导体制造方面的合作。 漆间启表示,日本相关公司管理层广泛支持彼此合作,但在行政阶层却进展不多。面对市场领导者、德国的英飞凌科技(Infineon T...  [详内文]

TrendForce:2024中国碳化硅逆变器装机量占全球65%

作者 |发布日期 2024 年 12 月 13 日 13:48 | 分类 数据
根据TrendForce集邦咨询最新研究,2024年第三季度全球电动车牵引逆变器总装机量达687万台,虽季增7%,但增长幅度较去年同期已有缩减。其中,PHEV牵引逆变器的装机量季增16%,虽然低于前一季的35%,但仍是所有动力模式中增幅最高的。 从技术趋势分析,第三季SiC(碳化...  [详内文]

Coherent拟扩建全球首个6英寸磷化铟生产线

作者 |发布日期 2024 年 12 月 12 日 17:50 | 分类 功率
12月9日,高意(Coherent)宣布,公司根据《芯片与科学法案》与美国商务部签署了一份备忘录。后者拟投资3300万美元,以支持Coherent现有70万平方英尺的先进制造洁净室的现代化改造和位于德克萨斯州谢尔曼工厂的扩建。 该项目将通过增加先进的晶圆制造设备,扩建全球首个6英...  [详内文]

先导激光氮化镓蓝光装备全链条国产化项目顺利立项

作者 |发布日期 2024 年 12 月 12 日 17:50 | 分类 企业
12月5日,由先导科技集团旗下先导光电子事业部牵头的安徽省“科技创新攻坚计划-氮化镓蓝光装备的全链条国产化开发及应用”项目启动会在滁州市安徽省先进光电子材料及系统产业创新研究院召开。 中国工程院范滇元院士、中国科学院半导体研究所赵德刚研究员、林学春研究员、华中科技大学唐霞辉教授...  [详内文]

8.33亿,Qorvo碳化硅子公司被安森美收购

作者 |发布日期 2024 年 12 月 10 日 17:59 | 分类 企业
12月10日,安森美宣布与Qorvo达成协议,以1.15亿美元(折合人民币约8.33亿元)现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)技术业务,包括其子公司United Silicon Carbide(UnitedSiC)。该交易需满足惯例成交条件,预计将于2025年第一...  [详内文]