天眼查资料显示，近日，天岳先进、超芯星两家厂商公开了多项碳化硅晶体相关专利。
天岳先进公开2项碳化硅晶棒制备专利
天眼查资料显示，12月3日，天岳先进公开一项“一种曲率半径大且分布均匀的4H碳化硅晶棒及制备方法和应用”专利，申请公布号为CN119061481A，申请日期为2024年11月1日。
该专利摘要显示，本申请公开了一种曲率半径大且分布均匀的4H碳化硅晶棒及制备方法和应用，属于4H碳化硅晶棒制备技术领域。该4H碳化硅晶棒在任意位置处的电阻率均大于12mΩ·cm且小于15mΩ·cm，其切割得到的碳化硅晶片的曲率半径均大于800m，且切割得到的碳化硅晶片在轴向上曲率半径分布函数为CR=ey+fy2+gy3+h。该4H碳化硅晶棒在降低电阻率的同时提高切割所得的碳化硅晶片的曲率半径，且同一4H碳化硅晶棒制备得到的碳化硅晶片的曲率半径分布均匀，可显著提高利用该材料制备得到的器件的稳定性。
11月29日，天岳先进还公开一项“一种大尺寸、低电阻4H碳化硅晶棒、低电阻4H碳化硅晶片及制备方法”专利，申请公布号为CN119041030A，申请日期为2024年11月1日。
该专利摘要显示，本申请公开了一种大尺寸、低电阻4H碳化硅晶棒、低电阻4H碳化硅晶片及制备方法，属于N型碳化硅单晶材料制备技术领域。该4H碳化硅晶棒的厚度为15mm以上，所述4H碳化硅晶棒任意位置处的电阻率大于12mΩ·cm且小于15mΩ·cm，且所述4H碳化硅晶棒面内的电阻率差值在0.5mΩ·cm以下，所述4H碳化硅晶棒的硅面与碳面的电阻率差值在1mΩ·cm以下。该4H碳化硅晶棒的电阻率低于现有的产品，且面内及轴向电阻率分布更均匀，有利于器件整体导通电阻的降低，为提高4H碳化硅晶片质量及器件性能提供了新的方案。
在碳化硅业务进展方面，天岳先进于11月13日发布了12英寸（300mm）N型碳化硅衬底产品，标志着碳化硅产业正式迈入超大尺寸碳化硅衬底时代。
超芯星公开碳化硅晶体生长方法专利
12月3日，超芯星公开一项“一种碳化硅晶体的生长方法及生长装置”专利，申请公布号为CN119061469A，申请日期为2024年8月29日。
该专利摘要显示，本发明提供一种碳化硅晶体的生长方法及生长装置，属于碳化硅晶体生长领域。碳化硅晶体生长装置包括长晶炉体，长晶炉体内设置有单侧开口的石英管，石英管的开口端部密封安装有密封件；石英管的生长腔室内设置有坩埚组件，坩埚组件具有第一腔室和第二腔室，第二腔室位于第一腔室的内侧；坩埚组件具有进气口、进气通道、出气口和出气通道，进气通道的进气端连通气源，气源和密封件之间的管路上设置有电动针阀；出气通道的出气端连通真空泵，真空泵和密封件之间的管路上设置有电动球阀；密封件上开设有测压孔，用于外接真空计，真空计连接PID控制器的输入端，用于调控生长腔室的压力；长晶炉体外接有真空系统。
在碳化硅业务方面，去年7月，超芯星6英寸碳化硅衬底进入美国一流器件厂商，由此成功打入美国市场；同年，超芯星成功研制出8英寸碳化硅衬底；今年7月，超芯星在官微宣布，公司已与国内知名下游客户签订了8英寸碳化硅深度战略合作协议。为满足国内外市场需求，超芯星计划将6-8英寸碳化硅衬底的年产量提升至150万片。（集邦化合物半导体Zac整理）
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