最新文章

中国科大研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管
作者 |发布日期 2023 年 02 月 27 日 17:13 | 分类 氮化镓GaN
近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。 相关研究成果分别以“Enhancement-modeβ-Ga2O3U-shaped g...  [详内文]

Transphorm公布最新财报，高功率GaN收入占比超70%
作者 |发布日期 2023 年 02 月 27 日 16:41 | 分类 产业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
日前，高压功率转换GaN供应商Transphorm 公布了2023财年第三季度（截至2022年12月31日）的财报，多项业务取得重要进展，营收表现良好。 上个季度，Transphorm 实现营收450万美元（约合人民币3125万元），环比增长22%，同比微减2%。产品收入环比增长...  [详内文]

总投资8亿、年产能120万套，芯动半导体第三代半导体项目开工
作者 |发布日期 2023 年 02 月 27 日 16:37 | 分类 产业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
根据长城汽车官网消息，2月26日，长城无锡芯动半导体科技有限公司（以下简称：芯动半导体）“第三代半导体模组封测项目”奠基典礼在无锡举行。 图源：长城汽车官网 该项目总投资8亿元，建筑面积约30000㎡，规划车规级模组年产能120万套，预计在2023年9月具备设备全面入厂条件，最...  [详内文]

深化SiC布局，蓉矽半导体与台湾汉磊签订长期战略合作协议
作者 |发布日期 2023 年 02 月 24 日 17:41 | 分类 碳化硅SiC
近日，成都蓉矽半导体有限公司（下称“蓉矽半导体”）与台湾汉磊科技股份有限公司（下称“汉磊科技”）签订长期战略合作协议，进一步深化了双方在碳化硅SiC制造方面的合作关系。 根据协议，汉磊科技将向蓉矽半导体开放 SiC 工艺平台并将其代工产品优先级列为第一等级。这有力加强了蓉矽半导体...  [详内文]

预计2025年量产，东芝电子加码SiC市场
作者 |发布日期 2023 年 02 月 24 日 17:38 | 分类 碳化硅SiC
据日媒报道，东芝半导体子公司东芝电子元件及存储装置（以下简称“东芝电子”）总裁佐藤裕之表示，公司的主要产品是用于控制汽车和家电功率的功率半导体，目前正在扩大产能。 佐藤裕之表示，车用功率半导体的性能非常好，公司认为需要扩产。目前生产场地不够用，要建新厂房。据悉，东芝电子计划在姬路...  [详内文]

华润集团第三代半导体项目签约落地无锡
作者 |发布日期 2023 年 02 月 24 日 16:23 | 分类 产业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
据无锡日报报道，2月20日-22日，无锡市委书记杜小刚率无锡代表团，拜访华润集团、光大控股、隆源控股、德昌电机、瑞东集团等香港知名企业，考察香港贸易发展局、香港科学园等机构，推进锡港两地在产业、科创、金融、教育、文旅等领域的对接合作。 本次活动还举办签约仪式。其中，华润集团第三代...  [详内文]

SiC项目在列，2023年厦门市重点项目公布
作者 |发布日期 2023 年 02 月 23 日 17:26 | 分类 碳化硅SiC
近日，厦门市人民政府公布2023年市重点项目名单。2023年厦门市重点项目461个，总投资11939.37亿元，年度计划投资1406.34亿元。 图片来源：拍信网正版图库 产业项目161个，年度计划投资466.51亿元；社会事业项目155个，年度计划投资214.13亿元；基础设...  [详内文]

6.98亿，国产射频芯片龙头国博电子拟开展二期项目
作者 |发布日期 2023 年 02 月 23 日 17:22 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
昨（22）日，国产射频芯片龙头国博电子宣布，根据射频集成电路产业化项目整体规划，拟使用自有或自筹资金购买位于南京市江宁区金鑫西路以东、凤矿路以西地块的土地使用权（最终购买金额和面积以实际出让文件为准），并开展射频集成电路产业化项目二期建设。 项目与公司已建设的项目一期地块为相邻区...  [详内文]